Intranet网络信息技术的探讨

企业首先要考虑的问题是如何将企业的信息有效地组织起来 ,网络实现往往是第二步考虑的问题。本文从信息组织的角度来分析讨论企业 Intranet的架构思想和方法。     

CdTe:Sm晶体红外吸收光谱的研究

本文报道了CdTe: Sm晶体红外吸收光谱的研究结果.根据立方晶体场理论和Sm离子4f能级间的跃迁特性,分析确定了 CdTe:Sm晶体中 Sm~(2+)、Sm~(3+)离子在晶格中的位置类型及其晶体场特性,用点电荷模型计算了不同位置的Sm~(3+)周围的晶体场参数.     

远红外激光、~(60)CO-γ射线及其复合处理水稻干种子研究

为了寻求新的诱变源和探索新的诱变处理方法,我们进行了远红外激光、~(60)Co-γ射线及其复合处理水稻干种子以提高诱变效果的研究。供试材料为“湘早籼1号”干种子,辐照源为~(60)Co-γ射线和远红外激光。处理方法按γ射线与激光单独处理、γ射线和激光复合处理及对照等不同的组合共10种。γ射线的处理剂量为3万伦琴。远红外激光波长为118.8μm。处理时间为30分钟和60分钟,激光工作状态的输出电压讯号分别为2-5V与6-9V,本文仅对其当代生物学效应进行阐述。     

氨基酸及脱氧核糖核酸（DNA）对三种亚毫米波长激光吸收作用的研究

采用１１８．８μｍ、４３２．６μｍ和４４７．２μｍ三种亚毫米波长的远红外激光辐照１８种氨基酸和ＤＮＡ分子粉末样品，直接测定样品对远红外激光的吸收率。发现：①三种不同波长的激光辐照氨基酸或ＤＮＡ，样品对激光能量吸收率的差异达到极显著水平（Ｆ＝２１．７２，其中１１８．８μｍ和４４７．２μｍ波长被吸收的作用极显著地大于４３２．６μｍ。②１８种氨基酸和ＤＮＡ样品对远红外激光都存在吸收作用，但相互之间的差异不明显（Ｆ＝１．４１），而对于波长的敏感性却有较大的差异。其中，Ｌ－色氨酸的敏感性最强（ＣＶ＝９０．４），谷氨酸次之（ＣＶ＝８１．３），而ＤＬ－ｄ－氨基丙酸最弱（ＣＶ＝３１．６）。③氨基酸或ＤＮＡ对远红外激光的这种吸收作用的波长敏感性，与氨基酸或ＤＮＡ分子结构中某些特定的基团密切相关。     

Si_（1－x）Ge_x合金的浅杂质光电导谱

在４．２—５０Ｋ温度范围内研究了直拉法生长的富含Ｓｉ的Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ合金的浅杂质光电导谱，首次观察到了锗硅合金中从硼受主杂质基态到ｐ３／２价带的光电离跃迁过程及硼受主杂质的与自旋－轨道分裂带（ｐ１／２价带）相联系折光电导过程，并由此确定了硼杂质的电离能．结果表明，低锗组分下，Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ合金中浅受主杂质电离能随合金组分线性变化．     

亚毫米波毫米波玻璃镀金波导管

——本文计算了应用于光泵远红外波导激光器的玻璃介质和金属空心圆柱波导管的衰减常数;比较了玻璃介质和不同材料的金属圆柱波导管亚毫米波和短毫米波的传输特性。采用特殊工艺研制了玻璃镀金波导管,应用光泵远红外激光器谱线测试了波导管的传输特性。玻璃镀金波导管性能优于其它波导管。     

连续波光泵远红外玻璃镀金波导激光器

本文介绍采用特殊工艺制作的光泵远红外玻璃镀金波导激光器,并讨论了其运转特性。这种新型金属波导激光器是一种性能优良的激光器,具有较高的远红外增益和泵浦吸收效率。本文应用CH_3OH、HCOOH、CH_3I、CD_3I等工作物质,获得了70.6μm～1.25mm激光谱线的输出。     

半磁半导体Zn_0.97Co_(0.03)S的红外磁光研究(英文)

The absorption spectra of ternary mixed crystal Zn0.97Co0.03.S SMSC have been measured by using a Fourier transform spectrometer and a high field sup3rconducting magnet.The absorption lines shift or split when magnetic field is added. The widthes and the positions of lines also change with temperature. These phenomena can be interpreted by S-L interaction of d-electrons in Co2+ and Jahn-Teller effect because of coupling between electrons, vibration modes of Co2+ and their neighborhood atoms. The absorption spectra of samples with different Co concentrations are also measured at different temperature, and the phenomena are well discussed.     

磁场下高纯硅的光热电离谱

首次用光热电离法测量了高纯硅在高达4T磁场下剩余杂质电子类氢能级的Zeeman 分裂.由于光热电离法具有高灵敏度与高分辨率的特点,因此能在低至 0.2T磁场下观察到谱线的Zeeman分裂.我们观察到了硅施主束缚态在磁场下的相互耦合现象,并对此作了定性分析.实验表明,光热电离法是研究半导体中浅杂质Zeeman效应的最理想的方法.