关于N-Si:Pd中能级E(0.37)和E(0.62)的识别

在已证实Si中与间隙Pd有关的E_(TA)(0.37)和E_(TB)(0.62)能级为同一双施主中心的(0/ +)态与(+/++)态的基础上,本文通过一系列实验事实进一步揭示该中心是有B杂质参与的络合物.     

Si:Pd深能级的研究

用三种钯源对p~+nn~+和n~+pp~+硅二极管进行了扩散掺杂,井用深能级电容瞬态谱仪(DLTS)对它们作了测量.在适当的工艺条件下,在各类样品中均观察到能量为E_c-0.37eV和E_c-0.62eV两个浓度居统治地位的新的电子陷阱能级.从实验上证明了以上两个能级确是由进入硅点阵中的钯杂质所引起,并确定了它们和文献报道过的Si:Pd 能级间的相互转化关系.由这些能级的产生条件,退火特性以及电学测量结果来看,这两个新能级应分别与硅中间隙钯所引起的两种不同荷电态的施主中心相对应.     

深中心行为图形表示方法的探讨

利用几个特征能量参数,导出了表征SRH中心四个率参量相对比率大小的一组简单的关系式.这些关系能借助于几幅分区图形来形象地表示.以估算p-n结内深中心有效发射范围作为实例,说明了利用这样的图形来解决一些实际问题是很方便的.对早先已有的图形表示方法来说,可视为是一种发展和补充.     

采用PSD率窗的DDLTS系统

本文介绍一种采用相敏检波器(PSD)率窗的双相关深能级瞬态谱(DDLTS)测量系统。它具有结构简单、成本低、操作灵便等优点,尤其是具有好的信噪比,可望提高测量的空间分辨率。     

Pd在P-Si中的物理行为

本文详尽地报道了Pd在P-Si中的物理行为,并对它的两个主要能级H(0.16) 和H(0.33)的本质作了初步鉴别.     

不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响

本文利用光致发光测量了不同厚度GaAs覆盖层对自组织生长InAs量子点退火效应的影响．退火使量子点发光峰蓝移，发光强度减弱．深埋的量子点承受更大的应变，应变使退火引起的互扩散加强．GaAs盖层越厚，量干点的互扩散越明显，发光峰蓝移越显著，并由此导致了发光峰半高宽的不同变化．