脉冲中子辐照在硅中引起缺陷的研究

研究了脉冲中子辐照的中子嬗变掺杂 (NTD)硅二极管中缺陷的形成及其退火特征 ,并与热中子辐照样品进行了比较。深能级瞬态谱仪 (DL TS)测量表明硅中主要存在五类电活性缺陷 :氧空位 E1(Ec- 0 .19e V) ,不同荷电态的双空位 E2 (Ec- 0 .2 8e V)和 E4 (Ec- 0 .4 0 e V) ,双空位与氧杂质相结合的络合物 E3 (Ec- 0 .31e V) ,以及与样品材料原生缺陷有关的辐照感生缺陷 E5(Ec- 0 .4 8e V)。实验结果表明 ,脉冲中子辐照由于其高的中子能量和辐照剂量率 ,导致复杂络合物的浓度高于简单缺陷浓度。进一步 4 0 0℃温度以下退火实验显示了缺陷的分解和重建过程     

SI~-、n-GaAs正电子湮没特性的研究

用正电子湮没技术,研究了半绝缘(SI)和掺Te的n型GaAs的退火行为及外延工艺的影响.结果表明,GaAs的平均寿命τ_M,长寿命τ_2,和基块寿命τ_b依赖于掺杂,同时τ_2的变化与镓空位和多镓空位均有关.外延后,由于退火的效果,I_2的降低和τ_2的增加是明显的.文中还讨论了电子和中子辐照的影响.     

中子辐照硅中少子寿命的衰退(英文)

Disordered regions(DR) produced by neutron irradiation are highly effective for the degradation of minority carrier lifetime in silicon. In this paper we analyze the properties of the DR in detail, calculate the occupancies of defect states and the bending height of the energy band by means of the effectively generalizing of Schokly-Read-Hall statistical recombination theory to the DR, and present the self-consistent formulas for calculating degradation of minority carrier lifetime in the region, including the influences of defect concentration, band bending height, quasi -Fermi level as well as excess carrier density on the minority carrier lifetime. Finally, we make a comparision between the calculation results from the disordered region model and the point defect model and experimental results with detailed discussions.     

SI－GaAs中EL2和EL6缺陷团簇相关性研究

用光致电流瞬态谱（ＰＩＴＳ）方法研究了ＬＥＣＳＩ－ＧａＡｓ原生单晶经常规退火和等时快速退火（ＲＴＡ）深能级缺陷的变化。缺陷ＥＬ２（Ｅｃ－０．８２ｅＶ）和ＥＬ１２（Ｅｃ－０．７９ｅＶ）表现出类似的ＲＴＡ特性，应属于ＥＬ２缺陷团簇；缺陷ＥＬ６（Ｅｃ－０．３８ｅＶ），ＥＬ８（Ｅｃ－０．２７ｅＶ）和ＥＬ９（Ｅｃ－０．２４ｅＶ）亦具有相似的ＲＴＡ特性，属ＥＬ６缺陷团簇。实验发现，在热退火中，ＥＬ２团簇缺陷密度减少，则ＥＬ６团簇缺陷密度增加；反之亦然，取决于退火温度的高低，表明ＥＬ２，ＥＬ６团簇在原子结构上相关。文中由此讨论了两个主要缺陷ＥＬ２和ＥＬ６的可能构型。     

Investigation of EL2 Defect in 10 MeV Electron Irradiated Undoped Semi－insulating LEC GaAs

ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆＥＬ２Ｄｅｆｅｃｔｉｎ１０ＭｅＶＥｌｅｃｔｒｏｎＩｒｒａｄｉａｔｅｄＵｎｄｏｐｅｄＳｅｍｉ－ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇＬＥＣＧａＡｓＷｕＦｅｎｇｍｅｉ，ＳｈｉＹｉ，ＣｈｅｎＷｕｍｉｎｇ，ＷｕＨｏｎｇｗｅｉａｎｄＬａｉＱｉｊｉ（...     

Relation between EL2 Groupand EL6 Group in SI-GaAs

ＲｅｌａｔｉｏｎｂｅｔｗｅｅｎＥＬ２ＧｒｏｕｐａｎｄＥＬ６ＧｒｏｕｐｉｎＳＩ－ＧａＡｓＷｕＦｅｎｇｍｅｉ吴凤美（Ｄｅｐｏｒｔｍｅｎｔｏｆｐｈｙｓｉｃｓ，ＮａｎｊｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｊｉｎｇ２１００９３，Ｃｈｉｎａ）ＺｈａｏＺｈｏｕｙｉｎ...     

SiO_2-Si界面射频等离子体退火性质研究

众所周知,SiO_2-Si结构中界面态和固定界面电荷以及SiO_2中的陷阱电荷,强烈影响硅平面型器件的性能及其稳定性.因此用退火来降低这些电荷中心是非常重要的.我们用氧气氛低压辉光放电产生的射频等离子体对SiO_2-Si界面退火(简称RFP退火).     

软X射线辐照引入于SiO_2中的中性陷阱

本文用雪崩热电子注入技术与MOS C-V技术,研究了软X射线辐照引入于SiO_2中的中性陷阱的性质.给出陷阱俘获截面σ为10~(-15)～10~(-16)cm~2,有效陷阱密度为10~(11)～10~(12)cm~(-2).发现陷阱密度随辐照时间的增加而升高,但很快趋于饱和;陷阱密度并随辐照强度的提高而增大.文中研究了室温及77°K下中性陷阱的俘获特性以及陷阱的解陷作用.还给出了陷阱的退火实验结果.     

MOS结构的软X射线辐射损伤

本文报道了MOS结构受软X射线辐照的辐射损伤的研究结果.指出,软X射线辐照将引起了 SiO_2层中正电荷及SiO_2-Si界面界面态密度的增加,而且在SiO_2体内形成电子陷阱和中性陷阱.文中还报道了辐射损伤的退火结果.