适用于高阶∑△调制器的全差分运算放大器的设计

比较了增益自举式共源共栅、折叠式共源共栅和套筒式A／A类三种常用的运算放大器结构．提出了一种可用于各种高阶∑△调制器的全差分运算放大器。采用SIMC0．35μm标准CMOS工艺．完成了含共模反馈电路的全差分套筒式运算跨导放大器的设计。仿真结果表明放大器的直流增益为84．5dB,单位增益带宽为199MHz,相位裕度为51°,电路工作可靠,性能优良。     

高性能CMOS集成电压比较器设计

比较器可以比较一个模拟信号和参考信号,并且输出比较得到的二进制信号.为了设计一个高速度、高精度的比较器,采用预放大锁存比较电路结构,并加以改进.在Cadence环境下基于CSMC 0.5μm CMOS工艺完成比较器的电路设计、版图设计和版图验证.仿真得到比较器的增益为85.588 4 dB,带宽为60.546 7 MHz,上升延时为5.723 74 ns,下降延时为5.429 17 ns,输入失调电压为640.17 μV.它适用于高速A/D等领域的应用.     

一种适用于LDO的三级误差放大器的设计

为了促进LDO在低电源电压环境中的应用,提高其稳定性,在此采用SMIC0．35um,N阱CMOS工艺,设计并实现了适用于LDO内部误差放大器的一种单密勒电容频率补偿的三级CMOS运算放大器。仿真结果表明该运算放大器的工作电压范围宽（2．5～6．5V）,静态电流小,开环电压增益为112．16dB,相位裕度为89．03°,增益带宽积为6．04MHz,共模抑制比为89．3dB,电源抑制比为104．8dB。     

一种具有高电源抑制比的带隙基准电压源

根据带隙基准电压源理论,在传统CMOS带隙电压源电路结构的基础上,采用曲率补偿技术,对一阶温度补偿电路进行高阶补偿,获得了一种结构简单,电源抑制比和温度系数等性能都较好的带隙电压基准源.该电路采用CSMC 0.5 μm标准CMOS工艺实现,用Spectre进行仿真.结果表明,在3.3 V电源电压下,在-30 ℃～125 ℃范围内,温度系数为3.2×10-6 /℃;在27 ℃下,10 Hz时电源抑制比(PSRR)高达118 dB,1 kHz时(PSRR)达到86 dB.