碲镉汞的透射电子显微术和X-射线形貌法研究

用x—射线形貌法和透射电子显微术(以下简称TEM)研究了MCT晶体的缺陷结构。采用这两种技术揭示和鉴别了亚晶粒间界,计算出其倾斜角为10~(-3)弧度。由TEM     

铌酸锶钡单晶材料的光学观察

三年前,为配合热释电探测器的研制工作,对所用的强铁电晶体铌酸锶钡进行了光学观察。所用晶体数量较少,且来源分散,有福州物质结构所的,有北京化工厂的,也有我室自己拉制的,通过光学观察说明铌酸锶钡晶体的均匀性较差,存在着位错、应力、生长条纹和包裹体等缺陷。当其用激光观察电畴畴壁和畴的极化反转时,出现一些有趣的现象。现就我们所进行过的实验和观察到的现象分述如下:     

碲镉汞晶体中的第二相

前言碲镉汞(MCT)可以看成是由Ⅱ—Ⅵ族化合物Cd Te和Hg Te按不同化学计量比组成的。其相图的固相线和液相线分离得很宽,也就是说从液态缓慢地结晶成固态时,Cd Te相对于Hg Te要产生严重的分凝,以致晶体不具有均匀的组分。为克服这一严重缺陷,使熔体通过强制冷却快速凝固,是一种广泛用来制备MCT晶体的工艺。用这种方     

TGS晶体中电畴结构对热释电性质的影响

给出了关于TGS晶体中初始畴结构对热释电性能影响的研究结果。采用动态热释电方法来研究这一问题,弄清楚了部分极化的晶体的畴结构在加热时会发生“分裂,”导致极化度降低。电畴结构的“分裂”由热释电信号与温度的关系曲线的突变点反映,“分裂”温度取决于畴结构的大小。     

聚邻苯二甲酸二乙酯(Poly Diethyl-O-Phthalate)的红外吸收特性

我们自行制备的中分子量线性聚合物聚邻苯二甲酸二乙酯薄膜,在测量中发现该薄膜具有较宽的红外吸收光谱,尤其在3～5μm和8～14μm的波段内有较强的吸收峰。该聚合物具有结构的对称性和键的刚度低等特点,故极易溶于某些有机溶剂,可配制成涂料,使用方便。它有可能作为一种消除目标和背景之间红外辐射差别的多波段红外对抗伪装涂料,起到隐蔽目标的作用。一、制备利用缩聚反应,可以制得该聚合物。将一克分子的乙二醇和0.5克分子的邻苯二甲酸酐     

In Sb MOS电容器高频C-V特性的测量及其界面态密度的推算

本实验首先测量了N型、(111)面、掺Te2×10~(15)cm~(-3)InSb晶片的机械损伤层,然后用阳极氧化等方法将其做成MOS结构,测量和分析其高频C-V特性,并采用中心偏压加窄摆幅电压的来回慢扫测得无滞回效应的C-V曲线。最后,用Nakagawa式算出界面态密度为2×10~(12)cm~(-2)eV~(-1)。     

碲镉汞晶体结构性质的电子显微术研究

采用扫描电子显微术对布里奇曼法、固态再结晶法和碲溶剂法生长的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体的结构性质进行了研究，结果表明位错和亚晶界是三种方法所得晶体的主要缺陷，而位错和亚晶界的形态与分布则取决于被研究面的结晶学取向。实验还观察到经过长期高温退火的晶体中单个位错成规则的点阵分布，或排列成位错墙。此外也观察到孪晶，多晶以及第二相等结构缺陷。     

用动态热释电法研究TGS电畴结构的稳定性

本文报导关于TGS单晶热释电电压U_p(T)与温度的关系的研究结果。发现在低于相变点几度的温度下,U_p(T)曲线上有一突变点。此突变点的位置与样品极化的方式及电极的种类有关。并用电畴结构的“破坏”来解释突变点的存在。     

Hg_(1-x)Cd_xTe晶体X值的电子探针测定法

引言在碲镉汞晶体和器件制备过程中,组分分析是一项十分重要的工作。目前,分析Hg_(1-x)Cd_xTe晶体克分子数的方法很多,如原子吸收法、络合滴定和库仑滴定法等。采用这类分析方法,待测样品要被破坏;这是     

高强度硫化锌增透膜的结构分析

本文介绍用X射线衍射法对单层高强度硫化锌增透膜所进行的分析。对在不同制备工艺和不同的热处理条件下所形成的膜层的实验数据进行比较,结果表明:在特定的工艺和热处理条件下长成的高强度硫化锌增透膜是具有择优取向的多晶β—ZnS膜,择优取向为[110]。本文从这种晶体结构的特性对其膜的成因及其性能进行了初步探讨。