薄膜型热释电探测器红外响应模型分析

在进行热释电焦平面探测器ROIC（读出电路）设计时，必须充分考虑热释电探测器的红外响应特性，并根据探测器等效电路的SPICE模型进行设计仿真。从热释电探测器的热平衡方程出发，在Matlab平台上分析模拟了探测器对脉冲函数调制状态下的瞬态响应，并根据提供的薄膜材料参数在具体应用中建立了热释电探测器的等效电路模型。把探测器等效电路模型与SFD（源跟随器）型输入单元读出电路连接后进行模拟仿真，分析了不同条件下热释电探测器／读出电路组件的响应特性。     

应用于快速响应热释电探测器的抗高过载前放组件

热释电探测器由于具有结构简单、性价比高等优点而备受青睐。就热释电探测器/前放组件在实际工作中需要较快的响应速度,从热释电探测器及前置放大器的设计着手考虑,成功研制出高灵敏度的快速响应热释电探测器/前放组件;针对热释电探测器-前置放大器组件使用时需要承受高过载冲击及剧烈振动,在几项关键工艺中采取了一系列措施。最后,给出了热释电探测器/前放组件的测试结果和环境试验结果,表明达到抗高过载、快速响应的要求。     

非制冷红外焦平面阵列读出电路设计研究

非致冷红外焦平面阵列技术正在迅速发展，应用领域日益扩展。本文简要介绍了非致冷焦平面阵列(UFPA)的发展历程和现状。对其核心部件之一，即读出电路(ROIC)，以热释电焦平面阵列和微测热辐射焦平面阵列所使用的ROIC为例，进行了原理分析和讨论。最后对未来非致冷红外焦平面阵列读出电路的发展方向进行了简单探讨。     

聚邻苯二甲酸二乙酯(Poly Diethyl-O-Phthalate)的红外吸收特性

我们自行制备的中分子量线性聚合物聚邻苯二甲酸二乙酯薄膜,在测量中发现该薄膜具有较宽的红外吸收光谱,尤其在3～5μm和8～14μm的波段内有较强的吸收峰。该聚合物具有结构的对称性和键的刚度低等特点,故极易溶于某些有机溶剂,可配制成涂料,使用方便。它有可能作为一种消除目标和背景之间红外辐射差别的多波段红外对抗伪装涂料,起到隐蔽目标的作用。一、制备利用缩聚反应,可以制得该聚合物。将一克分子的乙二醇和0.5克分子的邻苯二甲酸酐     

硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管的界面分析与电特性

对硅化钯-P型硅肖特基势垒二极管(SBD)的界面性质作了AES谱和EBIC像分析,估算了Pd_xSi_y层厚度和肖特基结的结深。在室温下由示波器响应脉冲波形估算SBD对1.06μm激光的响应时间小于1ns。从深能级瞬态电容谱仪得到的DLTS谱峰计算出样品表面空间电荷区中深能级的能级位置E_T—E_V=0.33eV,俘获截面σ_p(248K)=4.4×10~(-18)cm~2,深能级的平均杂质浓度N_T=0.085(N_A—N_D)。讨论了激光响应脉冲波形后沿变缓现象。     

In Sb MOS电容器高频C-V特性的测量及其界面态密度的推算

本实验首先测量了N型、(111)面、掺Te2×10~(15)cm~(-3)InSb晶片的机械损伤层,然后用阳极氧化等方法将其做成MOS结构,测量和分析其高频C-V特性,并采用中心偏压加窄摆幅电压的来回慢扫测得无滞回效应的C-V曲线。最后,用Nakagawa式算出界面态密度为2×10~(12)cm~(-2)eV~(-1)。     

用于非制冷热释电红外探测器的 PZT铁电薄膜研究

采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜．用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层,在衬底PZT(seed layer)／Pt／Ti／SiO2／Si上用射频磁控溅射过量10％Pb的Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0．3)陶瓷靶生长厚500nm的PZT铁电薄膜．采用在450℃预退火,575℃后退火的快速分级退火方法对PZT铁电薄膜进行热处理．PZT铁电薄膜获得了较好的热释电性能,热释电系数、介电常数、介电损耗和探测度优值因子分别为P=2．3×10-8C·cm-2·K-1,ε=500,tanδ=0．02,Fd=0．94×10-5Pa-0.5．     

提高窄带半导体CCD控制能力的可能性

CCD的控制能力,即单位电极面积所能处理的最大电荷密度Q_(max),是CCD的一个重要参数。我们知道,控制能力差就可能限制窄带半导体IR CCD的元数和探测率。IRCCD控制能力较小的原因是半导体的隧道击穿,它限制了时钟电压的允许值。带间隧道电流密度J_x取决于半导体的电场强度E_x和禁带宽度E_o式中C为由带间跃迁矩阵单元所决定的常数。由于带间隧道效应与E_x密切相关,因而带间隧道效应具有击穿的特性。公式(1)是用处在均匀场中的半导体推导出来的。但是,如果eφ_(?)>>E_(?)(e为电子电荷,φ_s为表面电位),通常,这一点在CCD中是能够实现的,那么,就可以用公式(1)来计算空间电荷区中的隧道电流。在这个区域内电场是不均匀的。这样,将(1)式沿空间电荷区宽度积分,便可算出CCD中的总的隧道电流密度。     

“8～12μm IR-CRT视频／红外动态图像转换技术研究”通过技术鉴定

兵器工业集团公司第二一一研究所研制的 8～ 1 2 μｍＩＲ ＣＲＴ视频 /红外动态图像转换器 ,于1 999年 1 2月 1 6日通过兵器工业集团公司科技部主持的专家技术鉴定。8～ 1 2 μｍＩＲ ＣＲＴ转换技术是一项难度极高的研究课题。通过三年多的攻关 ,成功解决了 8～1 2 μｍ红外磷光体材料 ,ＩＲ ＣＲＴ管设计 ,大口径锗窗口真空封接 ,靶屏冷却 ,高压隔离及高性能电子枪等技术难题。制造出了国内首台 8～ 1 2 μｍＩＲ ＣＲＴ转换器样机 ,所产生的红外动态图像稳定 ,清晰。转换器的场频 5 0Ｈｚ,时间常数 1 3ｍｓ,空间分辨率大于 2 0 0ＴＶＬ …     

利用振动抛光法获得无损单晶表面

描述了振动抛光机的结构和半导体单晶样品的抛光工艺。从加工的质量来看,我们可以在实验室技术条件下,利用振动抛光法来加工出表面无损的样品。同时,还能用此法剥掉物质的一些薄层。