21~28GHz波段平衡式放大器

采用OMM IC的0.2μm PHEM T工艺设计了工作在21~28 GH z的平衡式放大器。正交耦合电桥采用兰格电桥。兰格电桥和平衡式放大器的在片测试结果和仿真结果基本吻合,平衡式放大器在21~28 GH z的增益为18~20 dB,输入和输出回波损耗小于-20 dB,在26 GH z处的输出1 dB压缩点功率为21 dBm。     

半速率时钟10Gb／s光纤传输用2：1复接器设计

介绍了使用0．2μm GaAsHEMT工艺设计的一个10Gb／s以上的光纤传输用2：1复接器。该复接器使用了半速率时钟的结构。为了减小功耗，设计时使用了3．3V的电源，并对每个单元进行了优化。整个芯片的功耗约为460mW。测试结果显示，该电路可以工作在10Gb／s以上的数据速率。     

基于GaAs工艺的36GHz压控振荡器

利用法国OMMIC公司的0.2μm GaAs PHEMT工艺,设计实现了一个36GHz压控振荡器电路.该电路采用完全差分的调谐振荡器结构,通过引进容性源极耦合差动电流放大器和调谐负载电路,提高了电路的性能.测试表明:该压控振荡器中心频率为36GHz,调谐范围约为800MHz,在偏离中心频率10MHz处的单边带相位噪声为-98.83dBc/Hz.芯片面积为0.5mm×1mm,采用-5V单电源供电,核心单元功耗约为200mW.     

自行车运动员的心理障碍与心理训练

本文从理论分析出发,运用体育运动心理学的有关知识,简要分析了在自行车运动中产生心理障碍的原因。提出了克服心理障碍的心理训练方法和手段,对提高竞赛水平具有一定的指导作用。     

基于GaAs工艺的36GHz压控振荡器

利用法国OMMIC公司的0.2μm GaAs PHEMT工艺,设计实现了一个36GHz压控振荡器电路.该电路采用完全差分的调谐振荡器结构,通过引进容性源极耦合差动电流放大器和调谐负载电路,提高了电路的性能.测试表明:该压控振荡器中心频率为36GHz,调谐范围约为800MHz,在偏离中心频率10MHz处的单边带相位噪声为-98.83dBc/Hz.芯片面积为0.5mm×1mm,采用-5V单电源供电,核心单元功耗约为200mW.     

X波段宽带单片低噪声放大器

从获取放大器的等噪声系数圆最大半径的角度来进行电路设计,设计了工作于X波段9～14GHz的宽带低噪声单片放大器,采用法国OMMIC公司的0.2μmGaAsPHEMT工艺(fT=60GHz)研制了芯片。在片测试结果为在9～14GHz,噪声系数<2.5dB,最小噪声系数在10.4GHz为2.0dB,功率增益在所需频段9～14GHz大于21dB,输入回波损耗<-10dB,输出回波损耗<-6dB。在11.5GHz,输出1dB压缩点功率为19dBm。     

注入同步锁相环式时钟恢复电路MMIC的设计和实现

设计了单片集成的超高速NRZ码时钟恢复电路,该电路采用注入同步压控振荡器结合锁相环的结构,在保持普通PLL型时钟恢复电路优点的同时,加快了锁相环的响应速度,提高了系统的稳定度。利用法国OMMIC公司的0.2μmGaAsPHEMT,制造了MMIC芯片,在输入速率为8.2Gb/s、长度为223-1伪随机序列的情况下,输出时钟的均方根抖动为1.6ps。芯片面积为1.5mm×2mm。采用-5V电源供电,功耗约为600mW。     

10Gb/s NRZ码时钟信息提取电路

利用法国OMM IC公司的0.2μm G aA s PHEM T工艺,设计实现了10 G b/s NRZ码时钟信息提取电路。该电路采用改进型双平衡G ilbert单元的结构,引进了容性源极耦合差动电流放大器和调谐负载电路,大大提高了电路的性能。测试表明:在输入速率为9.953 28 G b/s长度为223-1伪随机序列的情况下,提取出的时钟的均方根抖动是1.18 ps,峰峰值抖动是8.44 ps。芯片面积为0.5 mm×1 mm,采用-5 V电源供电,功耗约为100 mW。     

23GHz 0.2μm PHEMT倍频器

应用异或逻辑运算，对输入信号进行非线性变换，产生偶次高阶谐波分量，实现二倍频功能。改进的异或门中，利用LC谐振回路作为异或门的负载，提取出希望得到的频率分量。利用三阶巴特沃斯低通滤波器，解决了芯片输入、输出接口问题。选用微带线和衬底接地的共面波导等不同结构的电感实现形式，充分利用了芯片面积。测试表明，芯片可以在22．62～23．24GHz频率范围内实现二倍频输出。