空压站夏季高温工况下净化设备运行现状及对策

空压站夏季高温工况下,半数以上空压机和净化设备出现过载甚至报警停机,其主要原因有3个:一是对循环冷却水系统重视不够,表现为冷却水量不足、水温偏高、水质偏差;二是单元产品选购时未顾及压力、温度系数和极限工况,导致选型偏小;三是空压机厂对末端冷却器重视不足,甚至偷工减料,造成其排气温度普遍偏高,水冷机组高达45℃以上,风冷机组更高达55℃以上。而净化行业的规定工况:欧州为35℃,美国为38℃,我国行业标准两种工况并存。某些制造厂为应对高温工况对吸附式干燥器最高允许进气温度为40℃,冷干机在特殊设计下,最高允许进气温度为45℃,但实际运行状况不佳。分析了高温对压缩空气站净化设备的影响,提出了应对措施和解决方案。     

利用光子晶体提高InP基LED出光效率

应用FDTD方法计算了二维无限大光子晶体的能带结构,并制备出了InP基二维平板结构的光子晶体器件.在制备过程中尝试了仅用PMMA做掩模以及PMMA和SiO2做掩模两种方法.结果表明,不使用SiO2做掩模的情况下,由于PMMA胶选择性较差,在刻蚀过程中难以保证图形的准确转移.而增加SiO2掩模后,获得了图形质量良好的光子晶体结构.成功实现了利用光子晶体结构增强LED的出光效率,与未制作光子晶体结构的LED相比,光子晶体结构LED的出光效率可在原来基础上提高1倍以上.并且随着晶格常数的增加,出光效率进一步提高.     

一种新型的光学增透膜——DLC及改性DLC薄膜

光学增透薄膜是一种很重要的光学材料，传统的MgF2和ZnS增透膜具有强度低的缺陷，已经不能满足现代科技进步的需要。回顾了近年来关于DLC薄膜和CN薄膜光学性能的研究情况，讨论了改性的DLC薄膜用做增透膜的可行性。从理论和实践两个方面进行了探讨，结果表明DLC薄膜和CN薄膜在光学增透领域具有广阔的应用前景。     

近红外波段二维环形光子晶体

提出了带隙在近红外波段的环形光子晶体,主要有一系列环形的孔在背景材料为GaAs上构成.发现带隙不依赖于入射方向,很少的几排即可在透过谱上产生带隙.六角形构成的环形光子晶体的S波和P波的透过谱显示有一个完全带隙存在,带宽-带隙中心比率高达11%.     

单片集成光电探测器与接收机的协同设计

建立了光电探测器的行为模型.此模型描述了注入光功率与光生电流的关系,以及反偏电压对光生电流与结电容的影响.给出了在统一的SPICE设计环境中对光电子器件与电路协同设计的方法,并对光电探测器与CMOS接收机电路进行了设计.     

与标准CMOS完全兼容的硅基LED器件模拟

采用工业标准0.6μm CMOS工艺设计了以反向击穿硅p-n结为基础的光发射器件.讨论了该器件的光发射机理.利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟,包括器件的正向和反向I-V特性、p区掺杂浓度对击穿电压的影响以及门电压对器件发光强度的调制特性的影响等.结果表明该器件是一种很有前途的硅发光器件,在光互连等领域具有广阔的应用前景.     

光子晶体微腔半导体激光器的研究进展

概述了光子晶体微腔半导体激光器的研究进展，从物理机理、数值模拟、以及工艺实现方法等方面作了详细的叙述，并对其在光子集成中的应用前景进行了展望。     

三维FDTD方法计算光子晶体薄板结构

利用三维时域有限差分方法计算了具有不同介电常数的光子晶体薄板结构,得到了这些结构的带隙的数值结果,并作了分析;这些结果对于设计光子晶体器件有着指导作用。     

基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合

提出一种新的基于硫化物表面处理的InP/GaAs低温晶片键合技术.在360℃的退火温度下,获得了1.2MPa的键合强度.基于这种低温键合技术,可将外延生长在InP衬底上的In0.53Ga0.47As/InP多量子阱(MQW)键合并转移到GaAs衬底上.X射线衍射表明量子阱的结构未受键合过程的影响.光致发光谱分析表明键合后量子阱的晶体质量略有改善.电流电压特性的测试表明n-InP/n-InP的键合界面具有良好的导电特性;在n-InP/n-GaAs 的键合界面存在着电荷势垒,这主要是由于键合界面存在GaAs氧化物薄层所致.     

近红外波段二维环形光子晶体

提出了带隙在近红外波段的环形光子晶体,主要有一系列环形的孔在背景材料为GaAs上构成.发现带隙不依赖于入射方向,很少的几排即可在透过谱上产生带隙.六角形构成的环形光子晶体的S波和P波的透过谱显示有一个完全带隙存在,带宽-带隙中心比率高达11%.