DC～2GHz的GaAs单片反馈放大器

在低频FET放大器中,电阻反馈是一种卓有成效的方法,采用这种方法能同时获得好的超宽带增益平坦度和输入、输出电压驻波比。与简单的匹配电路相结合,这种电阻反馈电路可以设计通用目的实用放大器,其芯片面积要比用通常的匹配技术的芯片面积小得多。本文所描述的电路芯片面积为1.5×1.5mm,频率为5MHz～2GHz,增益为10dB±1dB,极好的输入和输出电压驻波比,饱和输出功率大于+20dBm。最小噪声偏置下的噪声系数近似2dB,相关增益为9dB。     

耿效应微波功率源

一、器件研究 1.1 引言本实验的主要目的是研究一种新的器件工艺,用以制作高效率的电子转移振荡器。我们在这方面的努力已经获得成功,已经研究出一种集成热沉工艺,所得器件的结果是:典型的器件效率是6～9％(而用原来的工艺所得到的效率为3～5％),获得的最佳效率为14％,这是连续波电子转移振荡器迄今为止所报导的最高效率。对于制作超声键合器件来说,与原来的工艺相比,集成热沉工艺的主要优点如下:     

1.0×1.6mm 4GHz GaAs单片接收机

<正> 电子系统通常要求成本低、体积小、多功能的组合件。本文将描述一个4GHz全单片接收机,它作为集成电路组合件适用于各种微波系统。单片接收机做在1.6mm~2的GaAs片上,其中包括一级双平衡混频器和5级射频放大器,图1说明,当把混合电路制成单片电路便可实现大量节约。单片接收机的研制成功为微波电路的设计者提供一种方便,即在设计数字和低频模拟电路系统时,预先就可以知道集成电路的性能和优点。如图2所示,单片接收机是在未掺杂的GaAs液相外延片上采用选择离子注入技术制     

肖特基势垒耿二极管的分析

本文对肖特基势垒耿二极管随不同的势垒高度而产生不同的振荡模式以及在大信号下工作的宽频带特性进行了模拟。     

高稳定11千兆赫耿振荡器

由于同时采用了两种电介质对温度补偿量进行最佳设计,并且采用了除湿机构,从而使X波段耿振荡器在不稳定腔体中,获得了10~(-6)/度的频率稳定度。     

低温下氮化硅膜的制备及特性的分析研究

本文阐述了等离子增强化学汽相淀积(PECVD)氮化硅膜的生长原理和方法;对于在不同衬底,如Si,特别是GaAs和金属膜上淀积氮化硅膜的各种影响因素进行了理论和实验分析;针对GaAs上淀积氮化硅膜的特殊现象提出了新的解释;推导出了SiN膜性能参数Si/N、折射率、Si-H键和N-H键密度等量之间关系的经验公式;研完了MNM电容上下电极对SiN性能的影响,指出用Ti-Pt-Au做下电极,Al做上电极可以提高电容耐压;确立了优化的条件,在较低温度(200～300℃)下生长出了氧含量极低、致密耐击穿电压高的优质SiN膜,该介质膜实用于半导体单片集成电路和高耐薄膜电容。     

T50型X波段体效应脉冲振荡器件可靠性的研究

<正> 一、前言目前研制的 X 波段宽脉冲、大工作比体效应脉冲振荡器件用于远程导航雷达应答器中作固体微波发射源。该整机是解决船舶在可见度极差等恶劣气候条件下导航的有力工具,是港口、海峡等雷达化的重要组成部分。整机作用距离达20浬以上,使用效果良好。采用 n~(++)-n-n~(++)-M 台面镀金热沉结构,严格控制器件制造工艺条件,加强质量检验,     

T50型X波段砷化镓体效应脉冲振荡器件的研制

<正> 一、前言n 型 GaAs 材料具有特殊的双能谷能带结构,当器件的偏置电场超过阈值电场时(>3300伏/厘米),导带中的下能谷电子获得超过0.36电子伏的能量,就从下能谷跃迁到高能量状态的上能谷中去。因为上能谷具有迁移率低、有效质量大的特点,这时电子的速度就降低了,产生了负微分迁移率或称为负阻、负电导特性,从而把直流功率转换到微波射频功率。体效应振荡器件是1961年美国马拉德研究所的 B.K.Ridley 和     

GaAs低噪声混频二极管串联电阻的研究

本文论述了混频二极管的关键参数之一——串联电阻对器件微波参数的重要影响;较详细地叙述和计算了影响串联电阻r_s的各种主要因素。叙述了为减小串联电阻所采取的工艺方法和措施,列出了实验结果。势垒直径φ=6μm,串联电阻最小值为1Ω,典型值为1.4Ω。器件在兄弟单位整机中使用效果良好。