Si衬底上用反应蒸发法制备AlN单晶薄膜

本文首次报道了在硅衬底上用反应蒸发法沉积AlN薄膜的技术．实验发现在衬底温度为470～850℃的范围内均可得到单晶薄膜，X射线衍射分析表明，薄膜只在2θ=58．9°处出现一个衍射峰，其生长晶面为（1120），是AlN的解理面．在较高的生长温度下，生长速率较低，得到的AlN薄膜具有更窄的衍射半峰宽（0．5°）、Al和N更趋向于化学计量比结合．从扫描电镜测试看出，薄膜表面平整光滑、无裂纹，说明用反应蒸发法外延生长的薄膜表面状况优良．最后，NH3对Si表面的原位清洗也作了一些讨论．     

聚苯板外墙外保温系统的构造与施工

伴随建筑性能需求等级的提高,对建筑的保温性也在加大关注,这时,外墙保温作为时间较晚而效果较好的一项保温工艺得到普遍的关注,本文讨论了保温层的材料以及操作办法,说明了如何加强这一层面保护的几种办法。     

用双晶X射线衍射研究Si液相外延层

以Ｉｎ作溶剂，使用石墨滑动舟在硅衬底上液相法生成了硅外延层。双晶Ｘ射线衍射表明，对不同的生长条件，一些样品显示出具有双峰的摇摆曲线，另外一些则只有单峰，对于前者，ＸＰＳ测不出Ｉｎ的存在，而对后者，ＸＰＳ却显示硅外延层含有Ｉｎ，由此得出结论，只用双晶Ｘ射线衍射难以确定外延层的掺杂情况。     

纳米Si-SiO_x薄膜的发光

本文阐述了纳米硅－氧化硅光致发光的意义和机理，还分别介绍了目前各种用于制备纳米硅－氧化硅的方法和研究现状，最后讨论了今后的发展趋势。     

反应蒸发制备nmSi—SiOx发光薄膜

报道了用真空反应蒸发制备ｎｍＳｉ／ＳｉＯｘ薄膜,制备出含有不同纳米尺寸硅颗粒的薄膜,研究了不同条件下得到的ｎｍＳｉ－ＳｉＯｘ薄膜的结构和组分,实验发现以ＳｉＯ为蒸发源制备的薄膜能够实现光致发光。初步分析ｎｍＳｉ－ＳｉＯｘ薄膜发光机制可能是由纳米硅最子效应引起的,界面效应和缺陷对薄膜ＰＬ可能没有贡献,解释了有纳米硅颗粒的存但观察了ＰＬ的原因。     

H在a-SiN_x:H光电导衰减中的作用

在真空蒸发硅的同时，分别用N离子和NH3离子轰击生长表面，获得具有不同H和N含量的a－SiNx和a－SiNx：H薄膜。对于这些薄膜，只要它们具有光电导特性，就可以观察到光电导衰减现象。实验分析表明，H在光电导衰减中不起直接作用，而是通过增大a－SiNx：H的光学能隙，使陷阱更为有效；以及减少Si≡Si－复合中心，从而有可能提高非平衡自由或流子密度和增强电荷被陷的速率，而间接地增强光电导衰减。     

Si：Er——硅新的发光途径

本文综述了研究Ｓｉ：Ｅｒ发光的重要意义；阐述了已提出的发光机理的模型及存在的问题，并从半导体材料的角度提出了未来Ｓｉ：Ｅｒ发光的研究重点。     

控制真空镀膜蒸发速率的微处理机

本文报道了在本实验室制作并开始使用的控制真空蒸发速率的微处理机(单板机)。它利用石英晶体振荡器为探测器,将该振荡器随膜厚不同而频率变化的交流信号反馈到微中心处理器。中心处理器将这交流信号和预期的蒸发速率比较,利用其差去控制给蒸发源的功率。该处理机具有结构简单、制作容易、蒸发速度可以控制在4％的程度范围内等优点。另外,如与微机联用其蒸发速度可以自动记录。制造或使用数字式频率计的工厂、实验室如能利用或参考该机的原理、线路图,将在不增加很多费用的前提下,使仪器性能更完美,更实用。