聚苯板外墙外保温系统的构造与施工

伴随建筑性能需求等级的提高,对建筑的保温性也在加大关注,这时,外墙保温作为时间较晚而效果较好的一项保温工艺得到普遍的关注,本文讨论了保温层的材料以及操作办法,说明了如何加强这一层面保护的几种办法。     

Si衬底上用反应蒸发法制备AlN单晶薄膜

本文首次报道了在硅衬底上用反应蒸发法沉积AlN薄膜的技术．实验发现在衬底温度为470～850℃的范围内均可得到单晶薄膜，X射线衍射分析表明，薄膜只在2θ=58．9°处出现一个衍射峰，其生长晶面为（1120），是AlN的解理面．在较高的生长温度下，生长速率较低，得到的AlN薄膜具有更窄的衍射半峰宽（0．5°）、Al和N更趋向于化学计量比结合．从扫描电镜测试看出，薄膜表面平整光滑、无裂纹，说明用反应蒸发法外延生长的薄膜表面状况优良．最后，NH3对Si表面的原位清洗也作了一些讨论．     

用双晶X射线衍射研究Si液相外延层

以Ｉｎ作溶剂，使用石墨滑动舟在硅衬底上液相法生成了硅外延层。双晶Ｘ射线衍射表明，对不同的生长条件，一些样品显示出具有双峰的摇摆曲线，另外一些则只有单峰，对于前者，ＸＰＳ测不出Ｉｎ的存在，而对后者，ＸＰＳ却显示硅外延层含有Ｉｎ，由此得出结论，只用双晶Ｘ射线衍射难以确定外延层的掺杂情况。     

纳米Si-SiO_x薄膜的发光

本文阐述了纳米硅－氧化硅光致发光的意义和机理，还分别介绍了目前各种用于制备纳米硅－氧化硅的方法和研究现状，最后讨论了今后的发展趋势。     

反应蒸发制备nmSi—SiOx发光薄膜

报道了用真空反应蒸发制备ｎｍＳｉ／ＳｉＯｘ薄膜,制备出含有不同纳米尺寸硅颗粒的薄膜,研究了不同条件下得到的ｎｍＳｉ－ＳｉＯｘ薄膜的结构和组分,实验发现以ＳｉＯ为蒸发源制备的薄膜能够实现光致发光。初步分析ｎｍＳｉ－ＳｉＯｘ薄膜发光机制可能是由纳米硅最子效应引起的,界面效应和缺陷对薄膜ＰＬ可能没有贡献,解释了有纳米硅颗粒的存但观察了ＰＬ的原因。     

H在a-SiN_x:H光电导衰减中的作用

在真空蒸发硅的同时，分别用N离子和NH3离子轰击生长表面，获得具有不同H和N含量的a－SiNx和a－SiNx：H薄膜。对于这些薄膜，只要它们具有光电导特性，就可以观察到光电导衰减现象。实验分析表明，H在光电导衰减中不起直接作用，而是通过增大a－SiNx：H的光学能隙，使陷阱更为有效；以及减少Si≡Si－复合中心，从而有可能提高非平衡自由或流子密度和增强电荷被陷的速率，而间接地增强光电导衰减。     

Si∶Er——硅新的发光途径

本文综述了研究Ｓｉ∶Ｅｒ发光的重要意义；阐述了已提出的发光机理的模型及存在的问题；并从半导体材料的角度提出了未来Ｓｉ∶Ｅｒ发光的研究重点。     

硅液相外延的溶剂选择

本文系统综述了硅液相外延中对各种溶剂的选择，重点叙述了Ｃｕ、Ｇａ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ等纯金属及Ａｇ基、Ａｕ基、Ａｌ基合金作为溶剂，对硅液外延薄膜的影响，最后指出只要根据器件对外延层及工艺成本等的要求，可以找到适当的溶剂材料进行硅液相外延。     

Si：Er——硅新的发光途径

本文综述了研究Ｓｉ：Ｅｒ发光的重要意义；阐述了已提出的发光机理的模型及存在的问题，并从半导体材料的角度提出了未来Ｓｉ：Ｅｒ发光的研究重点。