分子束外延低温生长GaAs缓冲层

<正>在低的衬底温度(约300℃)下生长的GaAs层具有较高的电阻率,较小的光敏特性。低温生长的GaAs层用于MESFET作缓冲层,能够消除背栅效应,改善光敏特性等。国外研究结果表明,低温GaAs缓冲层为富砷结。 用国产MBE—Ⅲ型分子束外延设备进行低温生长GaAs层的研究。半绝缘GaAs衬底温度约580℃,生长约50nm GaAs层。反射高能电子衍射(RHEED)的衍射图样为(2×4)结构。然     

分子束外延生长Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格及结构、光学特性研究

报道了分子束外延生长80个周期的Al_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格,X射线衍射和透射电镜的结果表明超晶格样品有良好的结构特性,光反射光谱观察到阱内的电子跃迁过程,其结果与理论计算相符。     

农村FTTH网络改造ODN建设策略研究

中国电信在"十二五"开局之年正式启动了"宽带中国光网城市"工程。随着城市区域光网建设快速推进,光网建设的重心正在由城市向农村转移,农村FTTHODN网络建设也在逐步展开,但农村地域广阔,环境复杂,怎样更加经济、合理、快速地布置农村ODN网络,是重中之重,本文对农村场景进行了详细剖析,重要阐述了农村ODN建设的策略。     

我国脱硫技术发展的回顾及展望

回顾了我国 30年来脱硫技术的发展情况 ,指出湿法脱硫、干法脱硫在不同阶段所取得的成就和具有的特色 ,对目前存在的一些技术问题和解决途径也做了阐述 ,并预测了今后的发展趋势。     

异质结谷间转移电子器件在8mm波段输出320mW

<正>当能带结构不同的半导体材料组成异质结构时,体材料的周期性势场受到破坏,产生了有趣的能带混合效应。如果把直接带隙半导体同间接带隙半导体组成异质结构,那么,在适当的偏压作用下就能把某一能谷的入射电子转换成另一能谷的输出电子,产生异质结谷间转移电子效应。利用这一效应设计成新的异质结谷间转移电子器件。首先在n~+-GaAs衬底上用MBE     

调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的研究

报道调制掺杂AlGaAs/InGaAs/GaAs应变量子阱结构的分子束外延生长、变温霍尔效应和电化学c—v测量,并对输运性质进行了讨论。用这种材料研制的PM-HEMT(pseudomorphic high electron mobility transistors)器件,栅长0.4μm,在12GHz下噪声系数1.03dB,相关增益7.5dB。     

TG型常温氧化铁脱硫剂研制成功

太原工学院和太原北郊化肥厂研制的“TG型常温氧化铁脱硫剂”已于今年三月十六日至十九日由省科委组织进行鉴定。会上代表们一致认为这一成果填补了我国常温粒状氧化铁脱硫剂的空白。其性能不仅优于国内粉状氧化铁脱硫剂,也达到国外同类产品的水平,具有硫容高、床层阻力小、接触时间短、净化程度高、再生方便等优点。该脱     

广电接入网双向化改造策略研究

本文对广电接入网双向化改造三种主流技术方案进行比较研究．分析双向改造过程中遇到的难点．提出广播电视网络提升至电信级网络、面向三网融合及建设下一代网络的建设策略。     

小氮肥的技术改造应纳入全省煤炭化工发展规划

山西省煤炭化工发展规划大纲(草案)有关小氮肥发展目标的表述是:“从全省来说小厂的合成氨生产能力和产量,大体保持在45万吨左右”。当时,小氮肥行业处于亏损状态,被认为是经济效益低的化工行业,搞得好也只有微利和低利;以往对小氮肥行业投资过大,造成了化工产品结构的畸形,影响了整个化工行业的经济效益。规划的这部份内容就产生在这样的指导思想之下。因此,想通过技术改造,在小氮肥行业中建设