螯合剂对酸性抛光液中铜离子沉积的影响

研究了几种螯合剂减少金属铜在晶片表面沉积的作用.将晶片放入含有或不含螯合剂的酸性抛光液中浸泡10min,用GFAAS测定表面沉积铜的浓度.结果表明,PAA、HEDP和AMPS的加入都能明显减少金属铜在硅片表面的沉积量,去除率分别为83%、79%和44%.进一步的研究发现,PAA过量时,即使螯合剂或者铜离子的浓度成倍增加,金属铜沉积量减少率变化不大.因此,加入过量PAA螯合剂不仅能够减少金属铜的沉积量,而且可以减弱沉积量的波动,增强工艺的稳定性.     

HF溶液中铜离子在硅片表面沉积的研究

研究了溶液中的铜离子在硅片表面的沉积情况,尝试采用几种螯合剂来减少铜在硅片表面的沉积.GFAAS的测试结果表明,HF稀溶液中加入少量螯合剂,均可以使硅片表面的金属Cu的沉积量显著减少,但不同的螯合剂效果不同,而且与溶液中螯合剂与铜形成的络合物稳定性质并不完全一致.加入螯合剂后,铜离子与螯合剂不仅在溶液中反应,而且在硅片表面形成竞争吸附,对铜离子在硅片表面的沉积量影响较大.     

纳米氢氧化镍制备的最新进展

纳米材料由于其颗粒较小,因此其性能和常规材料相比有较大的改变.随着纳米材料科学技术的迅猛发展,纳米材料的研究逐渐扩展到化学电源领域.氢氧化镍作为Ni-MH二次电池的主要正极活性材料,对电池的容量和寿命起着关键性的作用.但是目前传统方法制备的氢氧化镍容量较低,远没有达到其理论值.随着将纳米材料制备技术引入到氢氧化镍的合成,使其比容量有了质的提升,合成纳米氢氧化镍也成为研究的热点.介绍了纳米材料的一般性知识,同时阐述了纳米氢氧化镍作为Ni-MH电池的正极活性材料所具有的特性和制备方法上的最新进展,以及在制备和应用方面出现的一些问题.     

硅衬底清洗液中FA/O螯合剂的应用研究

FA/O螯合剂是一种具有1 3个螯合环的新型螯合剂,不含钠离子,并且易溶于水,稳定性好。通过对FA/O螯合剂在RCA标准清洗SC1、SC2溶液中的应用,对XPS的测试结果分析表明,FA/O螯合剂对Fe和Cu的络合能力比NH4OH的络合能力强,RCA标准清洗液中加入少量FA/O螯合剂就可使硅片表面微量铜、铁等金属污染物的去除效果显著增加。对清洗工艺的研究表明,在有螯合剂存在下,清洗温度控制在7 0℃,清洗时间为5 min.2次,效果更好。     

微机电系统技术进展

概述了微机电系统(MEMS)的发展史，综述了微机电系统(MEMS)领域所涉及的微材料、微机械设计和模拟、微细加工技术，微封装和测试等关键技术的研究现状．从微构件、微传感器、微执行器和专用MEMS集成系统等4方面的典型器件和典型系统，介绍了微机电系统在当今社会各个领域的广泛应用．     

不同碳源掺杂磷酸亚铁锂正极材料电化学性能研究

采用液相共沉淀-固相焙烧合成了橄榄石型磷酸亚铁锂(LiFePO4)正极材料,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和恒流充放电测试等方法对产物物相结构、表观形貌和电化学性能进行了表征和分析.纯相材料首次放电比容量达到90.6 mA·h/g,循环5次后,放电比容量为75.94 mA·h/g.为解决首次放电比容量低下以及材料循环性能差的问题,采取不同碳源掺杂对材料进行改进,最后得到LiFePO4/C复合正极材料,0.05 C首次放电比容量达到158.8 mA·h/g.     

反－4－苯乙烯基吡啶及其衍生物碱催化合成方法的研究

以ＫＯＨ为催化剂，在极性非质子性溶剂中，以较高收率合成了反－４－苯乙烯基吡啶及其衍生物。用正交试验方法确定了制备上述化合物的最佳反应条件     

尖晶石型锂锰氧化物正极材料的研究进展

概述了尖晶石锂锰氧化物的合成技术和电化学性能改进两方面的研究进展,并介绍了国内外有关尖晶石LiMn2O4的研究工作。对高温反应而言,包括高温固相反应法、熔融浸渍法、微波烧结法及其他改进的方法;在低温反应方法中,主要讨论了溶胶凝胶法、共沉淀法及乳化干燥法等。对尖晶石锂锰氧化物的各种制备方法中存在的优缺点进行了比较和评述。从比容量、循环性能及高温性能三个方面对尖晶石的电化学性能进行了综述。提高比容量,改善循环性能,尤其是高温下的循环性能将是今后LiMn2O4研究的发展方向。     

非均相Fenton催化降解酚类化合物的研究进展

非均相Fenton催化法是去除水中难降解有机污染物的一种重要高级氧化技术,近些年以其效率高、污染少、材料来源广泛而受到人们更多的重视。介绍了现今主要的非均相Fenton催化降解酚类化合物的催化剂研究进展,包括零价铁、Fe3O4、Fe2O3、以碳、黏土、柱撑黏土、沸石、介孔二氧化硅等为载体的催化剂。最后提出了三个非均相Fenton反应的研究方向。     

一种焊缝超声检测缺陷定性方法

针对焊缝超声检测缺陷定性困难,研究了常用探头的声场范围,提出了利用缺陷与规则反射体对应声场范围相比较来判定缺陷性质的方法,以提高缺陷定性的精准度。