计算多芯片多基片模块稳态热场的层次模型

提出的层次模型将包括多芯片多基片模块的复杂热场模拟 ,分解为有确定耦合关系的形状简单的层次单元的热场计算 ,通过迭代将分区计算结果连成模块的热场 .在计算一个层次单元 (芯片、基片或底座 )的热场时 ,将其所在的层次单元 (母层次单元 )的上表面温度 ,作为该层次单元下表面的边界条件 ,而把它上表面上的层次单元 (子层次单元 )的下表面的向下热流作为置于它上表面的等效热源 .通过芯片→基片→底座→基片→芯片→基片…的几轮迭代就可收敛到正确值 .提出的层次单元间的耦合强度 (即每轮计算中 ,母层次单元上表面的温度改变不是全部 ,而是部分用于     

模拟器件稳态热场正确性的判断方法

对稳态热场 ,二个水平剖面 A和 B所夹的薄层上的温差必须严格等于本文提出的平均值定理的计算值 .当芯片、基片和底座的截面大小一样时 ,可以直接根据平均值定理计算出芯片、基片和底座的每一水平剖面上的平均温度 ,通常可以手工完成 ;当芯片、基片和底座的截面大小不一样时 ,可以通过数据合成根据平均值定理计算出芯片、基片和底座的每一水平剖面上的平均温度 .如果计算中有的参数如沟道长度不十分清楚时 ,应作模拟了解该参数对热斑温度的影响 ,必要时对该参数进一步了解以保证模拟精度 .     

计算多芯片多基片模块稳态热场的层次模型

提出的层次模型将包括多芯片多基片模块的复杂热场模拟，分解为有确定耦合关系的形状简单的层次单元的热场计算，通过迭代将分区计算结果连成模块的热场.在计算一个层次单元(芯片、基片或底座)的热场时，将其所在的层次单元(母层次单元)的上表面温度，作为该层次单元下表面的边界条件，而把它上表面上的层次单元(子层次单元)的下表面的向下热流作为置于它上表面的等效热源.通过芯片→基片→底座→基片→芯片→基片…的几轮迭代就可收敛到正确值.提出的层次单元间的耦合强度(即每轮计算中，母层次单元上表面的温度改变不是全部，而是部分用于更新其子层次单元的下表面的边界条件)保证了所有情况下的迭代收敛.层次模型算法不仅速度数量级地高于普通的模块一体计算，而且热场与产生它的热源关系清楚，便于指导模块设计.计算与测量在实验误差(5℃)内符合.     

热电一体修正实现超低温漂运放的理论研究

热电一体分析了运放差分输入级的工作,指出了形成失调的３种原因（即源于工艺局部起伏的电学不对称、源于自身功耗的内热学不对称和源于环境温度梯度的外热学不对称）是造成温漂的原因;建议把外热学不对称降低到忽略不计的匀温台封装结构,并通过数值模拟和理论分析得到了其匀温特性计算公式;提出了降低电学不对称和内热学不对称的热电一体修正方法,该方法通过在高温、低温的循环修正使之趋于零．对该方法的理论依据和适用范围也进行了讨论．     

一种时域无条件稳定的计算瞬态热场的显式算法──步内建模法

步内建模法（MPWT，ModellingthediffusionProcessWithintheTimestep），与有限差分法的区别是对时间步内的扩散过程进行了建模，从而达到对任意大时间步长的（时域无条件）稳定性；对小时间步长，该法退化为通常的有限差分法，因而有自检性；与传输线矩阵法的区别是直接建模于扩散过程，从而使模型大为简化只含阻、容参数．对大时间步长时的长程热交换建模是该法的又一特征．该法结果与其他数值方法、解析方法的结果符合相当一致．     

GaAs场效应微波功率器件稳态热场分析的等效结构模型

提出了用于计算ＧａＡｓ场效应微波功率器件峰值沟道温度的等效结构模型．其中底座与芯片等截面的等效厚度处理和多胞单胞化处理，使计算工作量下降约二个数量级．计算的峰值沟道温度与修正（包括了胞内热场分布影响、胞间热场分布影响和瞬态冷却过程影响）后的电学法测量值的差别约为３℃．文中还用此模型模拟了若干工艺参数对峰值沟道温度的影响     

判断瞬态热场快速算法结果正确性的快捷方法

分析了时域无条件稳定算法加速计算的原理和由此造成误差的原因,提出并用实验验证了判断步内建模法(MPWT)模拟的瞬态热过程正确性的"终态-起始段-过程曲线稳定性"的快捷方法.模拟的瞬态过程如正确则必须满足:(1)终态的热斑温度正确、热场形貌合理;(2)瞬态过程的起始段正确;(3)在一定范围内改变计算参数模拟的瞬态过程曲线基本不改变,即模拟的瞬态过程曲线有稳定性.MESFET的实例说明,如果模拟的瞬态能通过这些检查,它就与实验有较好的一致性.用MPWT完成模拟和相应的检查总共所需时间大约为有限差分法模拟同一整个瞬态过程的百分之几.     

判断瞬态热场快速算法结果正确性的快捷方法

分析了时域无条件稳定算法加速计算的原理和由此造成误差的原因,提出并用实验验证了判断步内建模法(MPWT)模拟的瞬态热过程正确性的"终态-起始段-过程曲线稳定性"的快捷方法.模拟的瞬态过程如正确则必须满足:(1)终态的热斑温度正确、热场形貌合理;(2)瞬态过程的起始段正确;(3)在一定范围内改变计算参数模拟的瞬态过程曲线基本不改变,即模拟的瞬态过程曲线有稳定性.MESFET的实例说明,如果模拟的瞬态能通过这些检查,它就与实验有较好的一致性.用MPWT完成模拟和相应的检查总共所需时间大约为有限差分法模拟同一整个瞬态过程的百分之几.     

半导体气敏元件内电势对测量的影响

本文报道了半导体气敏元件的内电势是引起测试中反常现象的原因。然后分析了内电势对元件测量的影响,并提出了消除内电势造成的测量误差的有效方法。     

模拟器件稳态热场正确性的判断方法

对稳态热场,二个水平剖面A和B所夹的薄层上的温差必须严格等于本文提出的平均值定理的计算值．当芯片、基片和底座的截面大小一样时,可以直接根据平均值定理计算出芯片、基片和底座的每一水平剖面上的平均温度,通常可以手工完成;当芯片、基片和底座的截面大小不一样时,可以通过数据合成根据平均值定理计算出芯片、基片和底座的每一水平剖面上的平均温度．如果计算中有的参数如沟道长度不十分清楚时,应作模拟了解该参数对热斑温度的影响,必要时对该参数进一步了解以保证模拟精度．