基于二维表面等离子体激元的微结构

在介电常数符号相反的两个材料的界面处可激发出表面等离子体激元 (Surface plasmon)。文中利用普通扫描电子显微镜中出现的电子束诱导沉积纳米碳基本现象 ,提出和发展了一种无需光刻胶和额外掩模的亚微米图形化技术。采用这一新方法 ,成功地在镀金的半导体 In Ga Al P量子阱表面制备了各种亚微米点阵结构 ,并得到基于二维表面等离子体激元的可见波段半导体发光的增强作用     

由W0.95Ni0.05金属薄膜形成光弹波导结构的热稳定性

InGaAsP/InP双导 质结构外延片在直流负偏压120V作用下,利用射溅射和光刻剥离技术在样品表面淀积厚为110nm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条,并在该应条下的半导体内形成了对InGaAsP/InP双异质结构侧向光具有良好限制作用的光弹波导结构。W0.95 Ni0.05金属薄膜及由其形成的光弹波导器件在氢氮混合气体的保护下,分别在250℃、350℃、450℃、450℃和600℃温度下各退火30min以后,W0.95Ni0.05金属薄膜中压应变减少了十分之一。光弹波导器件输出椭圆形近场光模长、短轴这比由原来的2.0增加到2.2(对2um条宽）和2.5增加到2.9(对4um条宽）。实验结果证明,这种波导结构具有很高的热稳定性。     

半导体激光器输出光功率的最佳值

本文分析了半导体激光器输出光功率与镜面反射率的关系,数值计算结果表明镀制介质腔控制正反镜面反射率可以得到最佳输出光功率.此外,分析表明减少腔内损耗,减薄有源层厚度和缩小条宽对输出功率都有显著的增加.     

五元系组分空间的几何表示以及晶格常数与能带和互溶隙的计算

本文将五元系分为两大类；并提出用三维空间中的立体图形展示五元系化合物的组分分布；提出了五元系化合物的晶格常数和禁带宽度以及互溶隙范围的计算公式，并在此基础上计算了与ＧａＡｓ衬底晶格匹配的ＡｌＧａＩｎＰＡｓ的等禁带宽度曲线和互溶隙的范围．     

在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用

从理论上计算了厚度为 110 nm的 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条在 In Ga As P/ In P双异质结构中形成的应力场分布 ,及由应力场分布引起的折射率变化 .在 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条下半导体中 0 .2— 2μm深度范围内 ,由应变引起条形波导轴中央的介电常数 ε相应增加 2 .3× 10 - 1— 2 .2× 10 - 2 (2 μm应变条宽 )和 1.2× 10 - 1— 4.1× 10 - 2(4μm应变条宽 ) .同时 ,测量了由 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条所形成的 In Ga As P/ In P双异质结光弹效应波导结构导波的近场光模分布 .从理论计算和实验结果两方面证实了 In Ga As P/ In P     

腐蚀法研究掺Er熔融石英玻璃的真空热极化

掺Er熔融石英片经过真空热极化后，利用40%的HF腐蚀其沿极化电场方向的剖面，通过原子力显微镜（AFM）观测到剖面阳极边极化区内出现了峰-谷-峰形式的形貌变化，研究表明其原因是正负带电离子层的不同腐蚀速度，从而得出极化区内离子层分布为负-正-负的形式，与多载流子模型对真空热极化的解释相一致；根据离子层的分布，采用双高斯模型模拟出极化区内电场分布，并得到与结果相当吻合的理论Maker条纹。     

GaAs/AlGaAs DH多模激光器增益宽度、象散因子和线宽测定

本文报道国产质子轰击条形GaAs/AIGaAs DH多模激光器的增益宽度、象散因子和线宽的实验测量结果。发现此类半导体激光器的增益宽度均是几十埃,象散因子都小于3,线宽均大于10GHz。对此类半导体激光器的实验数据在光纤通讯和光盘以及其它领域中的应用具有实际参考价值。     

由WNi金属薄膜形成光弹波导结构的研究

平面型光电子器件具有易集成的特点,所以它一直是人们感兴趣的研究课题．光弹效应光电子器件是一种适合光电子集成的新颖平面型器件结构．自７０年代中期,人们就开始研制平面图ＩＩＩ－Ｖ族化合物半导体材料的光弹效应波导器件．然而由于不易控制引入半导体内的应力场分布,尤其是引入应力场分布的热稳定性差,因而这种平面型波导器件的制作技术没有得到广泛地使用．最近发现利用金属与半导体间的界面反应,或者样品在直流负偏压作用下射频溅射倔强系数大的金属薄膜于ＩＩＩ－Ｖ族化合物半导体表面,使金属薄膜下的半导体内形成稳定的应力…     

在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用

从理论上计算了厚度为110nm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条在InGaAsP/InP双异质结构中形成的应力场分布,及由应力场分布引起的折射率变化.在W0.95Ni0.05金属薄膜应变条下半导体中0.2-2μm深度范围内,由应变引起条形波导轴中央的介电常数ε相应增加2.3×10-1-2.2×10-2(2μm应变条宽)和1.2×10-1-4.1×10-2(4μm应变条宽).同时,测量了由W0.95Ni0.05金属薄膜应变条所形成的InGaAsP/InP双异质结光弹效应波导结构导波的近场光模分布.从理论计算和实验结果两方面证实了InGaAsP/InP双异质结光弹效应波导结构对侧向光具有良好的限制作用.