Growth and Application of Chalcogenides of Lead and Related Compounds

Large grain, low-dislocation, high-quality single crystals of various Pb-salt compounds have been grownreproducibly by the Horizontal Unseeded Vapor Growth (HUVG) technique. The Tunable Diode Lasers withbetter performance have been made with such crystals. The annealing feature, dislocations and diffusion in thecrystals have also been investigated.     

硅光电子开关

我们用Nd:YAG锁模激光辐照硅,实现了光电子开关的“开”和“关”。开关结构见图1。硅薄片(～7000欧姆·厘米)上光刻微带,具体尺寸是:间隙d=0.34毫米,厚度h=0.43毫米,微带宽度W=0.34毫米。W和h尺寸的选取是使微带与传输电缆为50欧姆阻抗匹配。实验装置见图2。当开关一端加90伏直流偏压时,用0.53微米单脉冲照射,引起硅表面导电,通过传输线,在输出端测得电信号如图3,即完成开关的“开”。以后,用与0.53微米有一定光路延迟的1.06微米光随后照射。因为硅对1.06微米光吸收深,引起导电穿透硅片,形成电信号短     

光纤光栅外腔半导体激光器的实验研究

利用光纤光栅作为选频元件的外腔半导体激光器具有波长稳定性和可控性好等优点。报道了该激光器的关键工艺 ,主要是光纤光栅制备、芯片的腔面增透和光纤耦合封装等。报道了初步的实验结果。     

光电开关和普克尔盒组合器件

随着锁模激光器的出现,对具有微微秒光脉冲的同步高速电子仪器的需求量大幅度地上升。激光核聚变的发展更加快了对快速光电器件的需要。 电光普克尔盒在高速变化的激光中具有广泛的应用,如在调Q激光器中作调Q开关、在锁模激光器中用做单脉冲选择器,也可做     

GaAs(100)面光栅皱折的形成

使用光致抗蚀剂的全息干涉曝光、显影方法在GaAs(100)面衬底上形成光致抗蚀剂光栅图形.采用选择化学腐蚀将光致抗蚀剂光栅浮雕图形转换到GaAs(100)面衬底上.已成功地在GaAs(100)面衬底上制作了周期为0.33微米的光栅皱折.在GaAs(100)面上的光栅皱折具有良好的V-形沟槽轮廓.     

Pb_(1-x)Sn_xTe(LTT)中的扩散—Sb扩散的表面形貌

本文报告了在扩散中的气相生长现象、扩散气氛对基片表面形貌的影响。     

水平无籽晶气相生长的Pb_(1-x)Sn_xTe二极管激光器

本文报告了采用HUVG方法制造的铅盐可调谐二极管激光器。在12K温度下,激光器的阈值电流为1.6安培,发射波长为10.2微米。     

Pb_(1-x)Sn_xTe和Pb_(1-y)Sn_ySe激光晶体

本文报道了具有合适的载流子浓度,低位错密度和适当p-n结深度的Pb_(1_x)Sn_xTe 和Pb_(1_υ)Sn_υSe激光晶体。这种晶体是用水平无籽晶气相生长技术和适当控制生长条件直接得到的,用这两种晶体已经制成OW运转的可调谐二极管激光器。     

Pb_(0.88)Sn_(0.12)Te晶体退火引起的转型层特性及其在激光器制做上的应用

本文讨论了Pb_(0.25)Sn_(0.12)T_c晶体的退火特性,给出了转型层深度(P-N结深度)与退火时间、退火温度的关系.同时也给出了用这种晶体制成的可调谐二极管激光器的调谐特性.     

Pb_(1-x)Sn_xTe中的cd扩散

扩散制结方法很多,其中包括杂质扩散,组分扩散(CID,退火)等。 因为采用组份Te过量为源材料生长的非掺杂Pb_(1-x)Sn_xTe单晶,是空穴浓度很高的p-型材料,所以杂质扩散制造p-n结,关键是选取合适的施主杂质。目前已确定的元索有Ⅱ族——Zn、Cd;Ⅲ族——Al、Ga、In;V族——Bi、Sb等。其中采用Cd、Sb杂质源已获得性能较好的LTT激光器件。 本文报导Cd在Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te中扩散的一些实验结果。