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为提高脉冲氙灯的工作性能,降低脉冲氙灯的着火电压。文章围绕提高脉冲氙灯阴极的电子发射性能,采用等静压制、高温烧结、化学共沉淀法制备掺氧化钪铝酸盐、高温浸渍发射物质等工艺,制备出含钪钡钨阴极。对该阴极的热电子发射性能测试结果显示,在阴极温度分别为950℃、1 050℃和1 100℃时,阴极脉冲发射零场电流密度分别为23.6 A/cm~2、35.7 A/cm~2和49 A/cm~2。在铝酸盐中掺入一定量的氧化钪,其作用在于和铝酸盐中的氧化钡结合为2BaO+0.5Sc_2O_3,它成为氧化钡或钡原子的载体,起控制和补充发射源的作用。因此,在铝酸盐中掺一定量的氧化钪能显著提高阴极的电子发射能力,该阴极具有均匀性良好的热电子发射能力和较好的抗离子轰击能力。 相似文献
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环形叉指电极型压电鼓膜驱动器的制备及其性能测试 总被引:1,自引:1,他引:0
制备了一种基于Pb(Zr52)O3(P ZT52)材料的自适应光学用压电驱动器。驱动器采用鼓膜结构, 其工作区域由主动层—PZT52压电层和被动层—ZrO2/Si复合层两部 分构成。PZT52压电层 采用环形叉值电极(IDT)驱动。采用Si(100)单晶作为衬底,并采用 溶胶-凝胶(Sol-gel) 法在其上制备ZrO2阻挡层和PZT52压电层,其中引入PbTiO3(PT) 种子层有利 于PZT52膜层的(110)择优取向。随后在其上热 蒸镀Al顶电极,并采用光刻方法制备图形,得到的IDT电极最大环形直径为 10.5mm,电极间距为0.05mm,中心非激活区 域直径为2mm。鼓膜结构则通过对Si衬底背部 进行各向异性湿法刻蚀(ODE)得到,保留的支持层厚度为5~10μm, 直径为 12mm。测试结果表明,压电驱动器阵列单元在100kV/cm驱动下,可产生6.5μm左右的形 变量。最后利用有限元分析方法(FEM)拟合了压电驱动器单元的面型,并分析了其形变模式 产生的内部原因。 相似文献
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该文基于ANSYS平台模拟了场发射阵列阴极与钼电极钎焊工艺参数对钎焊层等效应力的影响,并根据仿真结果进行了实验验证。仿真结果表明,当钎焊温度为850 ℃时,最大等效应力最小;当降温速率为23 ℃/min时,最大等效应力最大,之后随降温速度的增加而迅速减小;在降温过程中,高温区逐渐向硅基底扩展,温度沿焊缝方向呈对称分布,焊缝中心温度高,两边温度低。测试结果表明,钎焊接头组织致密,焊缝结合良好,没有裂纹和空洞等缺陷,且钎料对硅基底的影响很小。这是一种可行的、低成本的实现硅基场发射阵列阴极焊接的有效方法。 相似文献
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