碳纳米管场发射阴极电泳法制备及场发射特性研究

采用电泳沉积法在玻璃基板上成功制备出碳纳米管场发射阴极,采用扫描电子显微镜观察薄膜表面形貌,并对制备的碳纳米管阴极进行场发射测试.实验结果表明电泳2 min沉积的碳纳米管薄膜均匀连续且具有较好的场发射特性,其开启电场为3.1 V/μm,当外加电场强度为11.5 V/μm时场发射电流密度达到11.33 mA/cm2,经过10 V/μm的电场激活处理后样品具有较好的场发射稳定性.     

铝掺杂石英粉对多晶硅晶体生长的影响

多晶硅定向凝固铸锭技术生产的硅片是太阳能电池企业主要的原料之一,在多晶硅生长过程中,坩埚底部由于通过气冷降温,所以多晶硅从底部开始结晶[1-2]。最靠近坩埚底部位置的多晶硅初期形核的质量将决定整个多晶硅晶体的质量。目前很多科研院所和多晶硅片生产企业将多晶硅形核作为研究的重点[3-4]。从多晶硅形核物质的种类不同可以将形核物质分为以下几种类别Si、SiO2、Si3N4等,其中SiO2形核由于热膨胀系数与硅相近,而且在诱导多晶硅形核过程中不易熔化,目前是大多数科研院所的研究重点。本文是在SiO2形核物中中加入微量的AL粉,将SiO2形核物用喷涂的方式沉积在铸锭坩埚底部,通过传统的铸锭工艺进行多晶硅晶体生长,实验数据表明SiO2形核物质中添加0.05%的AL粉,初期TC1生长温度设置为1520℃时,可以获得低位错密度的多晶硅晶体。制备成的太阳能电池效率19%比传统未添加AL粉的SiO2形核物所生产的太阳能电池片高0.3%。     

形核物对铸锭多晶硅晶体生长的影响

对硅铸锭过程中的长晶阶段进行模拟和实验对比分析,研究二氧化硅种晶熔化界面形状和晶体生长界面形状。采用光致发光仪（PL）研究硅片的杂质和缺陷[1-2]分布,用微波光电导仪（u-PCD）研究了铸锭多晶硅锭少子寿命[3-4]的分布图。当形核物为SiO2, SiO2的尺寸为20um,形核温度为1430℃时制备的硅片表面相对完美,结构致密。     

磁控溅射NiO/ZnO透明异质结二极管及其光电特性研究

采用磁控溅射方法在ITO玻璃基板上沉积NiO,ZnO,AZO三层透明氧化物薄膜,成功制备了NiO/ZnO透明异质结二极管.实验结果表明,PN结展示出明显的I-V整流特性,正向开启电压1V;在氙灯光照条件下,二极管反向电流在5V偏置时,达到1.5 mA.二极管在可见光的平均透过率约为25%.     

适用于PDP的透明六硼化镧薄膜性能研究

采用电子束蒸发方法在商用PDP玻璃衬底和Ta衬底上沉积六硼化镧薄膜。分别对PDP玻璃衬底上沉积的六硼化镧薄膜的可见光范围内的透过率、薄膜生长取向和附着力进行了研究;对钽衬底上沉积的六硼化镧薄膜阴极的逸出功进行了研究。结果表明,制备的六硼化镧薄膜厚度为43nm时,在可见光范围内透过率大于90%,优于传统MgO保护层;六硼化镧薄膜具有(100)晶面择优生长的特点,薄膜的晶格常数与靶材相差小于0.2‰,薄膜的晶粒细小,成膜致密均匀;制备的透明六硼化镧薄膜的逸出功为2.56eV。     

硅片切割废砂浆回收过程中除铁研究现状

本文阐述了硅片切割废砂浆回收过程中除铁研究现状,分为物理法和化学法两类。化学法主要是酸法除铁,物理法主要有磁选设备除铁以及浮选法和磁选法相结合。通过比较分析,可以考虑将物理法和化学法结合起来,先用物理方法除去大部分铁,再用化学方法彻底将少量的铁去除,该法产生废水量少。     

硅片切割废液的成分分析与分离研究

以太阳能硅片切割废液为原料,经过固液分离、减压蒸馏、盐酸去除金属、碱法测定硅和碳化硅的含量,废砂浆的成分组成是:聚乙二醇55.9%、硅11.1%、碳化硅9.0%、水13.1%和铁及其他金属10.9%。测定了分离后的聚乙二醇的PH值、折光率、电导率,并做了红外分析。与新鲜切割液中的聚乙二醇相关性质作比较,基本相同,回收纯度较高。应用重力浮选法和离心分离法对硅和碳化硅进行分离。     

FTO导电玻璃对太阳电池窗口层材料的影响

P型微晶碳化硅薄膜(P-μc-SiC∶H)作为非晶硅薄膜太阳电池的窗口层材料,能够提高P层的光学带隙,增加窗口层可见光部分的透光率,从而提高太阳电池的填充因子和转换效率.本文研究射频功率、反应温度、SiH4和CH4气体流量比对FTO导电玻璃上P型μc-SiC∶H薄膜的光学带隙、透光率的影响.并在相同工艺条件下对比三种主流导电玻璃(ITO、 AZO 、FTO)上的薄膜光学特性,找到最适合做太阳能电池P-μc-SiC∶H薄膜的基板.