离子络合法制备ZnO纳米线

通过高聚物PAM与锌盐发生离子络合反应 ,将络合溶液涂膜在单晶硅片上 ,再通过烧结使之生长出ZnO纳米线。用场发射扫描电子显微镜 (FE SEM )、X射线衍射 (XRD)、红外光谱 (IR)对所得样品的结构与形貌进行分析表征 ,结果表明ZnO纳米线直径约 6 0～ 80nm、长度约 1～ 2 μm ,单晶 ,为六方晶系 ,且沿c轴方向优先生长。     

溶胶络合转化法制备CdS纳米微晶及其特性研究

依据高分子链上的配位基因与金属离子间络合反应平衡原理以及溶液中双电层扩散模型,提出了用溶胶络合转化法在甲壳胺中制备ＣｄＳ纳米微晶的新方法。采用原子力显微镜（ＡＦＭ）、Ｘ射线射图谱（ＸＲＤ）、紫外一可见吸收光谱（ＵＶ）及激发一发射光谱等手段研究了甲壳胺膜中（ＣｄＳ纳米微晶的特性,室温下的量子尺寸效应由实验得到了证实。此外发别采用Ｓｃｈｅｒｒｅｒ公式和ＡＦＭ技术对晶粒尺寸进行了估算与测定,并对两中结果     

分压控制下高纯,高x值CdZnTe晶体气相生长的研究

尝试采用布里奇曼法生长ＣｄＺｎＴｅ为原材料进行了高ｘ值（ｘ＝０．０４－０．６０）Ｃｄ１－ｘＺｎｘＴｅ晶体在压力控制下的物理气相输运（ＰＶＴ）生长研究，探讨了Ｃｄ源和ＣｄＺｎ合金温度对晶体电学性质的影响。并对ＰＶＴ晶体的纯度、位错坑密度、纵向组成分布以及红外透过率，ＰＬ光谱等进行了检测和分析。     

芯片尺度封装中焊线的应力分析研究

芯片尺度封装(CSP)技术是近年来发展最为迅速的微电子封装新技术。通过对WB-CSP器件中金线(GoldWire)所受应力的有限元模拟,发现金线所受应力与塑封材料的膨胀系数、焊点大小、金线粗细、金线拱起高度等因素有关。结果表明:由于热失配引起的金线应力最大处位于金线根部位置,SEQVmax=625.202MPa,在通常情况下,这个部位在所承受的应力作用下产生的形变最大,最有可能发生断裂,引起器件的失效。模拟结果与实际失效情况相一致。此外,发现:当环氧树脂塑封料热膨胀系数为1.0×10-5/oC时,金线最大等效应力出现最小值,SEQVmax=113.723MPa,约为原来的1/6;随着金线半径减小、焊点增大,金线所受应力也将减小。模拟结果对于WB-CSP封装设计具有一定的指导意义。     

光吸收法测定CdTe熔体平衡蒸气分压

用光吸收法对CdTe熔体在不同温度下的平衡蒸气分压作了测定,将在熔点温度所得结果与R.F.Brebrick报道的数据作了比较。     

HgCdTe表面钝化——阳极氟化的初步研究

本文尝试采用非含水的ＮＨ４Ｆ或ＫＦ以及含水的ＫＦ电解质溶液对Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ（ｘ＝０．２）表面的阳极氟化进行了研究，着重分析了阳极氟化膜生长的基本过程及其机理，讨论了阳极氟化条件及工艺对薄膜组成及质量的影响。     

光吸收法测定CdTe熔体平衡蒸汽压

CdTe晶体的平衡蒸汽分压已有人测定,但对从熔体长晶和液相外延至关重要的CdTe熔体平衡蒸汽分压的测定,除熔点温度蒸汽分压外,尚未见报道。我们用光吸收法进行了测定,获得了比较满意的结果。光吸收法是基于从连续光源中分出待测物质特征波长的辐射能,被蒸汽中的待测样品     

P型高阻CdZnTe晶体表面接触的电学性能研究

用原子力显微镜（ＡＦＭ）研究了Ｐ型高阻Ｃｄ０．８Ｚｎ０．２Ｔｅ晶体表面状况对接触电学特性的影响,研究了三种金属和ＡｕＣｌ３作为接触层材料的电学特性和接触机理。研究表明采用化学方法沉积ＡｕＣｌ３膜能在ＣｄＺｎＴｅ光滑表面形成一层重掺杂层,较金属更易获得欧姆接触,热处理可改善接触的欧姆性,增强接触层与晶体表面的结合力。     

胶黏剂酸碱缓冲容量对连续辊压法生产的中密度纤维板薄板质量的影响

探讨胶黏剂酸碱缓冲容量对连续辊压法生产的中密度纤维板薄板质量的影响。