紫外可见光谱法测量光刻胶的膜厚

在液晶显示器的制造过程中,光刻是极为重要的制造工艺过程之一。将厚的独立的负胶膜或者将光刻胶涂敷在二氧化硅衬底上以后,可以测量其膜厚,因为光刻胶膜厚决定其光刻工艺的工艺条件。能够快速地测量光刻胶的膜厚,是液晶显示器制造过程的先决性工作的一部分。文章提出了测量上述光刻胶膜厚的新方法,即利用紫外可见吸收光谱法中的Beer-Lambert定律来确定膜厚。在我们的研究中,采用acrylic负胶作为基质(resin) ,它分别具有50μm和100μm的膜厚。在350 nm时,50μm的薄膜的最大吸收为0 .728 ,而100μm的最大吸收为1 .468 5。而在正胶的研究中,采用novolac作为基质(resin)。它的膜厚通常是1 ～5μm。在紫外可见吸收光谱测膜厚的实验中,当重氮荼醌的吸收波长为403 .8 nm时,5 .93μm厚的薄膜的最大吸收为1 .757 4 ,其膜厚是由扫描电镜测得的。而另一个正胶薄膜在403 .8 nm的最大吸收为0 .982 3 ,其薄膜厚度计算得到为3 .31μm。利用这些数据,我们得到了这两种光刻胶薄膜的紫外可见吸收光强与其膜厚关系的两个校准曲线。     

高温SO I CMO S 倒相器瞬态特性的研究

本文主要研究高温SOI CMOS倒相器在（27－300℃）宽温区的瞬态特性。研究结果表明：当采用N^ PN^ 和P^＋PP^ 结构薄膜SOI MOSFET组合，并且其结构参数满足高温应用的要求，则SOI CMOS倒相器实验样品在（27－300℃）具有良好的高温瞬态特性。     

PMOS辐照检测传感器

比较了常用的3种辐射剂量计，并详细介绍了PMOS辐射检测传感器的优点、制备工艺、工作模式、△Vth－D特性及测试电路的原理图。     

辐射敏感PMO S 管的研制

本文根据辐射敏的特点设计了不同沟道长度（L）和宽长比（W／L）的敏感管，并给出样品的直流参数的测试结果。     

MOS/双极高压复合结构中可控硅效应的抑制

本文研究和分析具有偏置栅又有延伸源场板的MOS和双极型高压复合结构中产生可控硅效应的机理,提出如何从材料、几何结构和工艺参数方面采取措施抑制和防止可控硅效应的产生.     

在薄二氧化硅层上纯多晶硅化镍膜的研究

本文研究了在薄二氧化硅层上快速热退火（RTA）形成的多晶硅化镍膜的电特性，对于在薄二氧化硅上的纯硅化镍膜，测试了其到衬底的泄漏电流，发现二氧化硅性质仍类似于多晶硅膜或纯铝膜下二氧化硅性质，采用准静态C－V方法研究了多晶硅栅和纯硅化镍栅的多晶栅耗尽效应（PDE），并探讨了硅化镍栅掺杂浓度和栅氧化层厚度对PDE的影响，结果表明，即使在未被掺杂的纯硅化镍栅膜，也未曾观察到PDE。     

一种新型的晶闸管结构—MOS栅控横向晶闸管

本文提出了一种新型的晶闸管器件结构,它是由MOS型和双极型复合构成的MOS栅控横向晶闸管,其输入阻抗高,电压控制,用低压就能控制大功率输出.