分子束外延低温生长GaAs缓冲层及性能研究

用国产分子束外延设备(Ⅳ型),在低温(200—300℃)下生长了GaAs,AlGaAs和GaAs-AlGAs超晶格。本文着重提出对在低温生长GaAs缓冲层上生长优质GaAs有源层,尤其对缺陷和杂质很敏感的高电子迁移率晶体管结构材料进行研究。     

急性右室梗塞诊断方法探讨(附二例报告)

自Cohn等1974年首次生前诊断右室梗塞以来,有关该综合症的报告逐渐增多,对其诊断方法也进行了较广泛地研究。我院半年间发现急性右室梗塞2例、现将其临床资料作简要报告,结合有关文献着重就急性右室梗塞的诊断方法进行探讨。     

In_x Ga_(1-x)As/GaAs应变材料的生长与测试

利用国产Ⅳ型MBE设备,生长了长周期的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变多量子阱结构,并利用x射线双晶衍射、低温光荧光、光吸收谱等多种实验手段来检验材料的质量。实验结果表明,材料具有优良的结构完整性。     

分子束外延GaAs/AlGaAs材料及应用

利用国产MBE设备,我们研制了多种多用途的GaAs/AlGaAs器件结构材料,并制作出GaAs/AlGaAs量子阱激光器、GaAs/GaAlAs自电光效应器件(SEED)、GaAs/AlGaAs HEMT等多种器件。     

中国信息产业领域相关重点基础材料科技发展战略研究

我国微电子工业由于受制多种因素,发展不够快,在国际竞争中有落伍之感。作者列举了若干差距,提出了自己的想法。希望各界人士、广大读者解放思想,提出真知灼见,从发展战略的高度为中国微电子—光电子技术乃至信息产业发展出谋划策。     

优质GaAs/Si材料的研制

用国产分子束外延设备(Ⅳ型)在p型Si衬底上用三阶段生长法生长出优质GaAs外延层。测试样品为2μm厚,n型掺杂浓度5×10~(16)cm~(-3)。测量结果为x射线双晶衍射回摆曲线半峰宽225弧秒;低温光荧光谱半峰宽在10K时为5meV,外延层表面位错密度10~6cm~(-2)。