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1.
GaAlAs/GaAs多量子阱激光器结构设计   总被引:2,自引:1,他引:1  
本文详细地讨论了多量子阱激光器材料的结构设计、量子阱结构对激射波长的影响以及波导限制层铝含量x值对光限制因子的影响.用由密度矩阵理论推导的线性光增益公式,计算了光增益.从受激阈值条件得到最佳阱数和最佳腔长.为多量子阱激光器材料结构设计提供了有效的方法.  相似文献   
2.
利用国产MBE设备,我们研制了多种多用途的GaAs/AlGaAs器件结构材料,并制作出GaAs/AlGaAs量子阱激光器、GaAs/GaAlAs自电光效应器件(SEED)、GaAs/AlGaAs HEMT等多种器件。  相似文献   
3.
以硫酸亚钛和碳酸氢铵为原料,采用控制结晶连续沉淀法制备了介孔二氧化钛微球光催化剂,并分别采用扫描电镜、X射线衍射、紫外-可见分光光度计、化学耗氧量等对材料的结构、成分及光催化性能进行了表征。结果显示:试验制备的二氧化钛微球光催化剂具有好的流动性、分散性及球形度,粒径分布在5~30μm,晶粒粒径小于14nm,具有分布窄的孔结构(4~10nm)和高比表面积(138m2/g),属于典型的多孔材料,光催化性能良好,甲基橙溶液脱色率均在95%以上。同时,催化剂具有较好的沉降性,可以多次重复使用。  相似文献   
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