磁控溅射Ge/Si多层膜X射线低角衍射界面结构分析

本文对磁控溅射不同结构的Ｇｅ／Ｓｉ多层膜样品进行了Ｘ射线衍射的测试和分析,并进一步采用有过渡层的光学多层膜衍射模型对衍射谱进行了拟合;获得了扩散层厚度和分层厚度等多层膜的结构参数,定性讨论了多层膜中互扩散与分层厚度铁关系。计算结果与实验结果符合较好。     

二维硅微机械陀螺的研究

报道了一种依靠载体的旋转作为驱动,能敏感载体偏航角速度与自转角速度的二维硅微机械陀螺的原理、硅摆制作、敏感元件封装和检测。分别用仿真器和速率转台对其二维特性进行测试,结果证实该硅微机械陀螺能够敏感旋转载体的偏航和旋转体自身的角速度,比例系数随旋转角速度增加而增加。陀螺性能测试说明这种陀螺达到中等精度的使用要求。     

异构网络垂直切换技术

下一代无线网络(Next Generation Wireless Networks,NGWN)将融合多种不同的网络体系结构与无线技术,NGWN的异构性要求向用户提供无缝切换。为此文章引入了异构无线网络垂直切换策略,并深入论述了其中的关键细节——网络发现、切换判决和切换信息交互流程等。     

基于CDMI的云存储技术标准发展及其在广电的应用

本文首先分析了建立云存储技术标准的必要性,然后详细阐述了CDMI的工作基本流程、参考模型、数据访问方式、元数据、对象模型等。最后指出,需要针对云存储国际标准CDMI制定相关技术方案,来指导广电各机构的云存储实施工作。     

改造电梯的技术经济分析与实证研究

1前言 设备的技术改造是企业技术进步和发展的重要途径,对于电梯用户,如何利用新产品新技术提高运输能力,保证乘客安全,减少停运损失和维修费用,降低成本和故障率等,其相当一部分要通过技术改造来实现。就具体项目而言,技术方案的本身不是目的,将技术应用于实际项目中,取得良好的经济效果和社会效益才是根本目的。然而,技术的先进性同它的经济合理性既有相一致的地方,也有相违背的地方。因此,为了保证工程技术很好地服务于经济建设,     

磁控溅射生长Cu/Si薄膜

用溅射方法在Si(111)上生长Cu/Si,Ti/Si,Cu/Ti/Si薄膜。用XRD,红外吸收光谱,台阶仪对薄膜进行分析和测量。结果表明:在150℃溅射生长出的Cu/Ti/Si薄膜的缓冲层为硅化物TiSi2(311);Cu薄膜的主要成分是晶粒大小为17nm的Cu(111);Cu/Ti/Si(111)平均厚度为462nm,粗糙度为薄膜厚度的3%。在以TiSi2薄膜为缓冲层的Si(111)衬底上生长出的Cu薄膜抗氧化性较强、薄膜均匀性和致密性较好。     

利用旋转载体自身角速度驱动的硅微机械陀螺

提出了一种利用旋转载体自身角速度驱动的硅微机械陀螺的结构原理，建立了这种陀螺的数学模型并分析计算了该陀螺的结构动力学参数。理论研究和计算机模拟表明，利用旋转载体自身角速度驱动的硅微机械陀螺结构原理正确。     

Ge/Si多层膜热稳定性的Raman光谱研究

用Raman光散射的方法，观察了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列多层膜退火处理后的各Raman峰的变化，对其峰形、峰位及峰强的变化进行讨论分析。实验结果显示：Ge/Si多层膜经700℃热处理10min后，能改善各层的晶体质量，得到较完整的多层膜的结构。     

磁控溅射生长SiC薄膜的拉曼光谱研究

用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上制备出衬底温度分别为300,450,600℃的碳化硅薄膜,并对薄膜进行了拉曼光谱和原子力显微镜测试分析。结果表明,用溅射法在玻璃衬底上生长出微晶SiC(μc-SiC)薄膜和在Si(100)衬底上生长出立方碳化硅(β-SiC)薄膜。并且薄膜材料的结晶度随着衬底温度的升高而改善。     

恒温磁力搅拌下KOH刻蚀Si的研究

采用恒温磁力搅拌的方法,在KOH溶液中湿法刻蚀Si。在掩模层为SiO2时,研究了刻蚀速率随KOH浓度与温度的变化关系。结果表明:在110℃、30%的KOH溶液下,刻蚀Si(100)可以得到4.0μm/min的刻蚀速率,Si(100):SiO2的刻蚀速率比为550:1,Si(100):Si(111)的刻蚀速率比为90:1,而且可以得到光滑的刻蚀表面与形状。