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出版年
  2004年   2篇
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1.
利用SOI材料的埋层二氧化硅的自停止特性,成功制作了具有高反射底镜的共振腔增强型SiGe探测器.底镜沉积于EPW腐蚀液腐蚀形成的背孔内,在1.2～1.5μm范围内,反射率高达99%.探测器的共振峰在1.344μm,光响应为1.2mA/W.与普通结构的探测器相比,文中所报道的探测器光响应有8倍的增强.  相似文献   
2.
SiGe共振腔增强型探测器的制备   总被引：1，自引：1，他引：0  
利用SOI材料的埋层二氧化硅的自停止特性,成功制作了具有高反射底镜的共振腔增强型SiGe探测器.底镜沉积于EPW腐蚀液腐蚀形成的背孔内,在1.2～1.5μm范围内,反射率高达99%.探测器的共振峰在1.344μm,光响应为1.2mA/W.与普通结构的探测器相比,文中所报道的探测器光响应有8倍的增强.  相似文献   
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