高Q Ba(Zn_(1/3)Ta_(2/3))O_3介质谐振器材料及其在毫米波系统中的应用

叙述了Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３介质谐振器材料的制备、结构、微波性能及典型应用。Ｂａ（Ｚｎ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３介质材料介电常数εｒ为２９．５，频率温度系数τ≈０（－５５～＋８５℃），１０ＧＨｚ下最大无载Ｑ值１４７００，在２８ＧＨｚ测得Ｑ值约为４８００。这种材料具有高Ｑ值，特别适用于Ｘ以上波段作为振荡器电路中频率稳定元件。用这种介质谐振器已研制出８ｍｍ介质稳频微带耿氏振荡器，频率稳定度小于１０×１０－６／℃，最大输出功率达１８０ｍＷ。     

微型瓷件的研制

——本文简述了微型瓷件制造工艺.着重介绍了一模多铸、碳黑排蜡、快速堆烧等工艺.研制的微型瓷件具有尺寸公差小,晶粒失长发育良好、陶瓷-金属封接强度高等优点.     

(Zr,Sn)TiO_4微波介质陶瓷

<正>微波介质谐振器材料的应用已日益广泛.用它们制成的介质滤波器和介质振荡器体积小、成本低、可靠性高,与集成电路相容.已广泛用于卫星电视、雷达和数字通讯.南京固体器件研究所自一九八三年起,选用二氧化钛、二氧化锆、二氧化锡为基本组分,外加少量添加剂,采用一般电子陶瓷工艺制备了ε为34～40、12GHz下Q大于4000、τ_f为-7～+7ppm/℃的介质材料.用这种材料制成三腔、四腔介质滤波器,中心频率分别为7747MHz和8059MHz,通带插损为0.5dB,滤波器的频率响应随温度的变化小于2～6ppm/℃.介质滤波器经严格考核通过了鉴定,并已用于无人值守微波中继机上.用这种材料制成的10.7GHz介质稳     

高Q微波介质陶瓷

<正> 使用微波介质陶瓷谐振器制作振荡器和滤波器,能够满足微波通讯、卫星直播电视、雷达等技术对微波电路集成化、高稳定、低成本的要求。南京电子器件研究所早期研制的(Zr,Sn)TiO_4系列材料已广泛应用于2～12GHz频段。 近期,该所研制了Ba(Zn_(1/3)Ta_(23))O_3-Ba(Zn_(1/3)Nb_(23))O_3材料,其主要电参数ε为29;频率温度系数Tf为0～+8ppm/℃;10GHz下Q值最高达13000,比(Zr,Sn)TiO_4材料的Q值提高一倍以上。在3厘米介质谐振器振荡器中,在电路没有变动的情况下,仅用a(Zn_(1/3)Ta_(2/3))O_3-Ba(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3更换A_6介质材料,改变电源电压,频率变化由1.5MHz/V降为0.5MHz/V。采用该材料已制成性能优良的54GHz固态源。