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<正> 最近十几年内,高温超导材料的研究工作一度停滞不前。Bednorz和M(?)llez在La,Ba和Ca层状钙钛矿型氧化物中发现了高于30K的超导现象后,这一情况有了迅速改变。目前国内外许多研究机构都以前所未有的热情开展了超导氧化物的研究工作。研究发现,在这一系统中,通过Sr的替代可将超导温度改进到45K,紧接着在高于77K液氮温区,发观了Y-Ba—CuO_(9-x)系统的超导现象,目前在这一系统中,通过适当控制工艺过程,可制得超导转变温度T_c高于90K的高温超导材料。 相似文献
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本文基于GaAs肖特基势垒二极管以及混合集成电路工艺,对太赫兹固态倍频和检测技术开展了研究.文章结合肖特基势垒二极管物理结构,采用电磁场仿真软件和电路仿真软件相结合的综合分析方法,对各模块电路进行优化设计,研制出了高倍频效率的倍频源和高灵敏度的检测器(检波器和谐波混频器).0.15THz检波器测得最高检波电压灵敏度1600mV/mW,在0.11~0.17THz灵敏度典型值为600mV/mW,切线灵敏度优于-29dBm.0.15THz二倍频器测得最高倍频效率7.5%,在0.1474~0.152THz效率典型值为6.0%.0.18THz二倍频器测得最高倍频效率14.8%,在0.15~0.2THz效率典型值为8.0%.0.15THz谐波混频器测得最低变频损耗10.7dB,在0.135~0.165THz变频损耗典型值为12.5dB.0.18THz谐波混频器测得最低变频损耗5.8dB,在0.165~0.2THz变频损耗典型值为13.5dB,在0.21~0.24THz变频损耗典型值为11.5dB. 相似文献
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<正>微波介质谐振器材料的应用已日益广泛.用它们制成的介质滤波器和介质振荡器体积小、成本低、可靠性高,与集成电路相容.已广泛用于卫星电视、雷达和数字通讯.南京固体器件研究所自一九八三年起,选用二氧化钛、二氧化锆、二氧化锡为基本组分,外加少量添加剂,采用一般电子陶瓷工艺制备了ε为34~40、12GHz下Q大于4000、τ_f为-7~+7ppm/℃的介质材料.用这种材料制成三腔、四腔介质滤波器,中心频率分别为7747MHz和8059MHz,通带插损为0.5dB,滤波器的频率响应随温度的变化小于2~6ppm/℃.介质滤波器经严格考核通过了鉴定,并已用于无人值守微波中继机上.用这种材料制成的10.7GHz介质稳 相似文献
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用常规电子陶瓷工艺制备了YBa_2Cu_3O_(7-8)高温超导陶瓷材料。该材料的致密程度良好,密度为4.97g/cm~3(为理论密度的77%)。零电阻温度T_c=91.0K,交流抗磁百分比k达99%。材料具有很好的稳定性和抗潮解性,已用其加工制成微波谐振腔。 相似文献
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采用300 W的Nd:YAG激光器系统分析了微波组件无氧铜壳体表面镀层对壳体激光封焊裂纹的影响.首先采用五因素四水平正交试验法并通过设置多脉冲波形优化焊接工艺参数,从而可获得成形美观、组织均匀的焊缝.分析发现,无氧铜表面镀层工艺的差异对焊缝质量有重要影响.化学镀镍时以单质形式存在的P元素极易汽化且可形成多种低熔点的化合物,焊接时焊缝会有裂纹产生;电镀镍时不含P元素,焊缝则没有裂纹出现.气密性检测显示,采用此参数激光封焊无氧铜微波组件的气密性小于5×10-9 (Pa·m3/s),产品一次合格率在95%以上. 相似文献
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硅铝合金以其重量轻、高热导率以及可调节热膨胀系数(CTE)的优越综合性能,在电子产品特别是微波组件中得到越来越广泛的应用.利用ANSYS软件系统地对Si50Al合金和硬铝合金进行热和结构静力分析,结果表明Si50Al合金具有更好的力学性能.通过对Si50Al合金进行热膨胀系数测试和焊接应力分析显示,Si50Al合金与Al203基陶瓷基板有较好的热匹配.机械加工、表面镀覆、元器件装联和密封实验表明,Si50Al合金完全可以替代硬铝合金、铜等作为微波组件的封装壳体和芯片载体材料,其与陶瓷基板和GaAs等半导体芯片衬底材料热膨胀匹配性好,并可成功地应用于高可靠微波模块电路的封装. 相似文献
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<正> 1986年,Bednorz和M(?)ller在La,Ba和Cu层状钙钛矿型氧化物中发现了高于30K的超导现象,此后,高温超导材料的研究工作进展很快,接着在高于77K的液氮温区,发现了钇钡铜氧系的超导现象,被称为第二代高温超导材料。 由于稀土元素的短缺,材料科学家又试图寻找不含稀土的氧化物系高温超导材料。在不到一年的时间里,发现了铋锶钙铜氧系高温超导材料,被称为第三代高温超导材料。因此种材料不含稀土元素,给高温超导材料的研究工作,带来了新的高潮。 南京固体器件研究所在1987年研究钇钡铜氧系成功的基础上,进行了以普通电子陶瓷工艺,制备铋锶钙铜氧系材料的研究工作。按Bi:Sr:Ca:Cu=1:1:1:2的比例,选用化学纯以上的试剂进行配料。原料用两次相似的工艺进行合成:第一次合成条件为800℃下保温12小 相似文献
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