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目前在机床和其它机械产品大上质量、品种的过程中,有些单位日益关心推力球轴承的使用。而在推力球轴承的样本中,生产厂却只提供一对双联向心推力球轴承。我们想选用此类轴承,但往往需要在两个 相似文献
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提出一种基于SOI-MEMS技术的静电驱动-电容敏感检测的横向硅谐振器,对其进行设计、MEMS工艺加工制作实现、微弱电容检测及开环测试.该新型静电激励谐振器结构主要包含一个从中间受力点向两侧引出两个电极板的双端固支梁,这种设计使得此谐振器的静电驱动电压远小于具有相同电极板面积和极板间距的同类静电驱动谐振器,且检测电容更大,降低了检测难度.以器件层电阻率很低(0.001~0.002Ω·bcm)的SOI晶圆为基础材料,其SOI—MEMS加工工艺流程简单,仅需要2块掩膜版,有4个主要单步工艺.实验测试结果表明:在真空度为0.1—1.0Pa环境下,直流偏置电压低至30V,交流驱动电压峰-峰值为20mV时,该谐振器在其谐振频率点52261.99Hz处的Q值依然高于11800. 相似文献
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基于谐振式MEMS传感器的仪表开发关键技术 总被引:1,自引:0,他引:1
针对基于谐振式MEMS传感器开发数字智能仪器仪表的高精度、快响应频率测量技术展开研究。以一谐振式MEMS气压传感器为开发样件,其差分输出是两路40~70 kHz之间的正弦频率信号。对传统的频率测量方法进行阐述分析,提出一种新的结合传统测频方法各自优点的频率检测方法。设计实现相关软、硬件,搭建测试系统,实验结果表明该测频方案针对40~70 kHz的频率信号误差小于±0.02 Hz,响应时间为1 s以内。 相似文献
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提出了一种电磁激励、差分检测的谐振式MEMS压力传感器,该器件采用低电阻率的SOI器件层单晶硅制作“H”型谐振梁,并作为激励和检测电极。根据对传感器数学模型的分析,利用有限元分析方法优化了传感器结构设计。采用等离子深刻蚀制作传感器结构,并用湿法腐蚀SOI二氧化硅层的方法释放。利用硅-玻璃阳极键合技术,实现了传感器的圆片级真空封装。采用开环扫描检测和闭环自激振荡方式,测定压力传感器的特性。实验结果表明:传感器一致性良好,在500~1100hPa的检测范围内,差分检测灵敏度为14.96Hz/hPa,线性相关系数为0.999996。 相似文献