磷化铟晶体的高分辨电子显微术研究

本文报导了半导体InP材料〔001〕带轴的高分辨结构象主要实验结果。采用400kV电子束,欠焦量为大约650A,同时In及P的结构象的最佳厚度约为260A。当厚度减缩到150A左右,只剩下P的原子象。当厚度增加到370A,只剩有In的原子象。实验得到的高分辨结构象和计算机模拟象是基本一致。当试样发生弯曲时,入射束与〔001〕带轴之间的夹角是0.18度。高分辨结构象代表In原子和P原子的亮点联接在一起。计算机模拟象证实了这一实验结果。     

纳米硅薄膜结构分析

在常用的PECVD电容式耦合沉积系统中,使用高氢稀释硅烷为反应气氛,在r.f.+DC双重功率源激励下制备出具有纳米相结构的硅薄膜.使用HREM,Raman光散射,X射线衍射以及红外和紫外光谱分析手段广泛地检测了其结构特征.指出,纳米硅(nc-Si:H)薄膜由于具有一系列新的结构特征使它脱颖于熟知的 a-Si:H及 μc-Si:H范畴,从而显示出它自己的独特性能.     

InP中的原子象和刃型位错

本文介绍使用JEOL—4000EX电子显微镜,观察半导体InP材料中[001]方向的原子象和小区域的微畸变。近年来,由于高分辨工作的发展,Hashimoto等人在观察不同材料的原子象方面,做了很多工作。但是在同一带轴所有重轻原子都同时成象,目前的报导还很少。本文报导InP材料[001]带轴的高分辨结构象,在特定的条件下重原子In和轻原子P可同时成象。计算机模拟象与实验结果是一致的。InP是闪型矿结构,空间群F(?)3m,面心立方点阵,晶胞常数a=5.868A,P原子的面心立方亚点阵     

掺Fe元素的InP晶体中扩展位错的运动

利用LEG法制备掺Fe0.03wt.%的InP晶体。样品观察在JEM-4000EX高分辨电镜上进行,电压为400kV,点分辨率为0.19nm(Cs=1mm),电镜中电子束产生的辐照为2.5×103e/cm2s。InP晶体是立方闪锌矿结构,空间群为F43m,单胞参数为a=0.5868nm。图1是InP扩展螺位错在[110]方向投影的高分辨像。图中亮点对应原子位置。很明显,一层(111)原子被抽去。图中用黑点标出了扩展位错的螺型分量。扩展位错包括两个Burgers矢量为1/6[211]和1/6[121]的Shockley不全位错,其间是内禀层错。扩展位错之间的距离为17.9nm。层错能可根据下式计算[1]:R=μb2(2-3V)/8πd…     

发光多孔硅高分辨电镜分析

高分辨率透射电子显微镜分析表明,发光多孔硅是由直径为20A左右的晶粒组成的珊瑚状多孔体。多孔硅仍保持原单晶硅衬底的晶体结构框架。     

光致发光纳米晶粒硅薄膜的电子自旋共振研究

用电子自旋共振（ＥＳＲ）方法研究了含纳米晶粒：ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的缺陷态．这种薄膜是用等离子体增强ＣＶＤ方法制备而成，未经任何后处理过程，在室温观察到可见光范围的光致发光．薄膜的ＥＳＲ谱由三个部分组成：（１）一对轴向对称超精细谱线，其ｇ∥＝１．９９６７，ｇ⊥＝２．００１６，其超精细常数为１．２×１０－２Ｔ；（２）一条各向同性谱线，其ｇ＝２．００５２．线宽△Ｈｐｐ＝１×１０－３Ｔ；（３）一条轴向对称谱线，其ｇ∥＝２．００５７，ｇ⊥＝２．００４２．以上三部分分别来源于三个不同的顺磁中心本文分析了它们的产生，     

InP的超高分辨结构象

本文报导了InP晶体沿[110]带轴的高分辨结构象。使用JEOL-4000EX顶插式电子显微镜(点分辨1.9nm)对InP晶体沿[110]带轴进行观察,在试样厚度约为35nm,欠焦量约为46.5nm时,拍摄到超高分辨的结构象,原子间距为0.147nm,并且计算出模拟象。贫验结果和模拟象符合的较好。     

基于电力线载波通信信道阻抗的台区双电源切换感知技术

"双电源单表计"问题指的是针对需要双路电源供电的终端负荷采用一个电能表计费的情况,该问题导致难以在双电源发生切换时确定此负荷的用电量计算在哪个台区.针对实际工作中由于营配融合沟通不畅会引起台区重要负荷双电源切换未能及时处理,导致线损不合格问题,提出一种基于电力线载波通信信道阻抗的台区双电源切换感知方法.当发生双电源切换...