一种提高SiGe HBT器件电学特性的Ge组分分布

介绍了一种提高SiGe HBT器件电学特性的基区Ge组分分布方式。这种优化的Ge分布模型在靠近发射极与集电极处为均匀分布,中间为梯度分布。借助于TCAD仿真工具,在基区Ge组分总量不变的条件下,相比于传统的Ge分布和其他文献中的Ge分布,该Ge分布极大地增加了器件厄尔利电压VA以及击穿电压BVCEO。同时,厄尔利电压增益积βVA分别提高了53%和91%,品质因子fT*BVCEO分别提高了10.3%和14.1%。