SrTiO3薄膜电致电阻调制机理的研究进展

对SrTiO3材料体系的电致电阻效应及其机理进行了系统的介绍;并对目前公认的3种调制机理:氧空位电迁移模型、共振隧穿路径开闭模型、位错网络模型进行了详细讨论;指出几种机理可能共存于电致电阻调制过程的不同阶段,找到其中的主导机制将是未来研究的关键。     

薄膜材料杨氏模量测量方法的研究进展

基于国内外薄膜材料杨氏模量测试的最新研究进展,系统地综述了近年来薄膜材料杨氏模量的测量方法,包括共振法、纳米压痕法、动态膨胀法以及视觉图像跟踪系统与微拉伸复合法等,并对这些测试方法的基本原理、研究现状及存在的问题做了简要介绍。在这些方法中纳米压痕法和共振法是相对准确而且普及的测量方法。当薄膜厚度减小到纳米量级时,纳米压痕法将达到测试的极限。共振法对于器件的加工工艺有一定的依赖,但辅以其他相关纠正技术将来有望成为测试纳米级薄膜杨氏模量的标准方法。     

电子束诱导沉积钴微米线及其铁磁性

通过电子束诱导沉积的方法制备了钴(Co)微米线,并利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力/磁力显微镜(AFM/MFM)以及物性测量系统(PPMS)等手段对Co微米线的沉积尺寸、微结构、铁磁性和电学性质进行了测试和分析。研究结果表明:Co微米线轮廓清晰、均匀性好。在不同的沉积条件下,微米线的实际长度与设定长度基本一致;实际宽度数据呈类梯形分布,半高宽是设定值的2~10倍;实际厚度低于设定厚度的60%。沉积电流对Co微米线的铁磁特性有重要影响。当沉积电流大于0.5 nA时,样品呈现出良好的铁磁特性。另外,电学性能测试结果显示Co微米线呈现绝缘特性。成功制备了室温铁磁绝缘Co微米线,这将有助于深入开展微纳尺度的结构与器件的研究和应用。     

一维纳米材料排列方法的研究进展

基于国内外一维纳米材料器件的最新研究进展,系统综述了近年来一维纳米材料的排列方法,并介绍了磁场排列法、电场排列法、微流法、Langmiur-Blodgett等方法的原理和优缺点。同时,指出了一维纳米材料器件集成所面临的挑战,例如无法兼顾大规模有序排列与单一纳米材料精确定位排列等。最后,简单展望了一维纳米材料排列方法的发展趋势,传统排列方法,包括磁学方法和电学方法等的发展已经遇到了技术瓶颈,短时间内难以得到本质性的优化,生物技术也许会成为一维纳米材料有序排列的一个发展方向。     

Ni(Pt) 锗硅化合物/Si1-xGex 接触电阻的测试

The electrical properties of Ni0.95Pt0.05-germanosilicide/Si1_xGex contacts on heavily doped p-type strained Sil-xGex layers as a function of composition and doping concentration for a given composition have been investigated. A four-terminal Kelvin-resistor structure has been fabricated by using the conventional com- plementary metal-oxide-semiconductor （CMOS） process to measure contact resistance. The results showed that the contact resistance of the Ni0.95Pt0.05-germanosilicide/Sil-xGex contacts slightly reduced with increasing the Ge fraction. The higher the doping concentration, the lower the contact resistivity. The contact resistance of the samples with doping concentration of 4×10^19 cm^-3 is nearly one order of magnitude lower than that of the sam- ples with doping concentration of 5 × 10^17 cm^-3. In addition, the influence of dopant segregation on the contact resistance for the lower doped samples is larger than that for the higher doped samples.     

Ni纳米线的化学还原法可控制备北大核心

利用化学还原法制备了Ni纳米线,通过扫描电子显微镜（SEM）研究了制备参数（磁场强度、Ni 2＋离子浓度和反应温度）对Ni纳米线合成以及结构的影响。实验结果表明：磁场强度是影响Ni纳米线直径均匀性的关键因素。无外加磁场时所制得的产物为Ni纳米颗粒;当磁场强度达到0.25 T时,纳米线的长度较长,直径较均匀。Ni 2＋离子浓度决定着纳米线直径的大小。Ni 2＋浓度越低,直径越小。反应温度影响成核以及纳米线的表面形貌。当温度低于50℃时,溶液中没有纳米线生成,说明溶液没有反应;当反应温度在60~80℃范围内时,纳米线的表面均有明显的刺状结构;当温度高于85℃时,纳米线表面的刺状结构数目明显减少,形成了光滑的表面。     

薄膜压电系数测量方法的研究进展

基于国内外对于薄膜压电系数的研究成果,系统地综述了薄膜压电系数的测量方法,如正向压力法、圆片弯曲法、激光干涉法、悬臂梁法和显微镜法等,并对这些方法的基本原理、测试表征、应用状况及存在的问题进行了详细的分析,同时比较了这些方法的优缺点。传统的测量方法,如正向压力法、圆片弯曲法和悬臂梁法等已经遇到了技术瓶颈,难以得到根本性的优化;而高分辨率的激光干涉法和显微镜法测量方便、可靠,与其他技术相结合有望成为表征薄膜压电系数的标准方法。     

运动捕捉技术及柔性传感器用于人体连续运动监测的研究进展

对多种运动捕捉技术和柔性传感器在当前多种领域的广泛应用进行了简单阐述。重点从关节的运动类型出发,对人体运动进行了分析,介绍了光学监测系统、惯性传感系统、磁感应测量系统和柔性应力传感系统的原理,评估了它们在捕捉人体连续运动方面的适用性,并总结了国内外研究中涉及新系统搭建、算法提升和信息处理等研究成果,以及其在提高运动捕捉性能方面的研究进展,对所综述的运动捕捉技术的优缺点进行了评述。最后,对当前运动捕捉技术进行对比,说明了当前技术成熟发展完善,但提升空间有限;柔性传感器测量能力全面,具有较大的系统发展潜力,有望成为运动捕捉技术未来的发展方向。     

Cu2O颗粒的制备及其吸附性能北大核心

通过液相还原法制备了Cu2O颗粒,利用扫描电子显微镜（SEM）以及X射线衍射（XRD）等手段对粒径的大小、微结构以及组分进行了测试和分析。测试结果表明：Cu2O颗粒为组分单一、表面含有大量孔隙的八面体结构。颗粒的粒径大小并不均匀,分布在几十纳米到1微米之间。同时研究了Cu2O颗粒的吸附特性,发现Cu2O颗粒对甲基橙具有良好的吸附能力。在吸附160min后,甲基橙的吸附率为67．5％,而且其最高吸附率可达94．86％。Cu2O颗粒的吸附性能可能主要来源于颗粒上的孔隙结构。拟合结果表明Cu2O颗粒的吸附过程符合伪一级动力学方程,这说明Cu2O颗粒的吸附机制主要是物理吸附。