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<正> 1986年我们研制了GaAs单片集成X波段低噪声放大器。GaAs基片采用南京电子器件研究所高压单晶炉拉制的大直径非掺杂半绝缘单晶,其电阻率大于10~7Ω·cm,利用汽相外延生长出低噪声MESFET所需的缓冲层、有源层和n~+欧姆接触层。低噪声MESFET采用了凹槽铝栅结构,栅长为0.6μm,栅宽为150μm。利用器件的结构参数,计算出其等效电路参数、散射参数和最佳噪声参数,电路的输入和输出匹配网络均采用典型的“Г”型网络,既能有效地减小电路的驻波比,又便于施加直流偏置。由于电路为小信号工作,微带线导带采用 相似文献
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