GaAs单片集成X波段低噪声放大器

<正> 1986年我们研制了GaAs单片集成X波段低噪声放大器。GaAs基片采用南京电子器件研究所高压单晶炉拉制的大直径非掺杂半绝缘单晶,其电阻率大于10~7Ω·cm,利用汽相外延生长出低噪声MESFET所需的缓冲层、有源层和n~+欧姆接触层。低噪声MESFET采用了凹槽铝栅结构,栅长为0.6μm,栅宽为150μm。利用器件的结构参数,计算出其等效电路参数、散射参数和最佳噪声参数,电路的输入和输出匹配网络均采用典型的“Г”型网络,既能有效地减小电路的驻波比,又便于施加直流偏置。由于电路为小信号工作,微带线导带采用     

单片微波集成GaAs MESFET开关

<正>一九八0年以来,GaAs MESFET单片集成微波开关的研制工作已经取得了一些令人鼓舞的进展.与MESFET用于放大、振荡、变频等有源场合不同,在开关模型中,器件的源-漏端之间并无直流偏压,而是作为微波信号的通道,器件仅以栅偏压V_g的变化来控制开关的工作状态.当V_g=0时,器件的源-漏端之间呈现低阻抗状态,|V_g|≥V_p对应于器件的高阻抗状态.因此,MESFET作为微波开关器件实质上是一种无源应用.这种开关电路较之用PIN二极管的微波开关具有以下的优点:亚毫微秒数量级的开关时间,控制用直流耗散功率为零,双向性好,微波信号难以从栅端口泄漏,由于工艺的相容性,便于在多功能单片微波集成系统中实现高性能和小型轻量的微波开关.     

单片集成GaAs MESFET微波开关——Ⅱ、宽带单刀单掷和单刀双掷开关电路

本文介绍了单片集成GaAs MESFET微波开关的设计方法和制作工艺.利用空气桥和通孔接地等工艺技术,研制成的调配型宽带单刀单掷开关在0.01～7GHz内,插损为2～3.5dB,隔离度不小于32dB;分布型宽带单刀双掷开关在4.5～7GHz内,插损为1～2dB,隔离度不小于21dB,5GHz下的最大功率容量为3瓦.实验也证实电路的开通时间小于0.6ns.     

单片集成GaAs MESFET微波开关——Ⅰ、微波开关MESFT工作原理

本文讨论了一种改进后的开关MESFET等效电路模型,介绍了器件的高、低阻抗态阻抗、本征截止频率、本征开关时间和功率容量等特征参数的分析计算方法.     

扇形微带元件及其应用

本文介绍了一种扇形微带宽频带的短路元件的设计方法及其在偏置电路中的应用.     

斜沟煤矿选煤厂浅槽应用的研究

针对杂物进入导轨内经碾压摩擦造成瓷砖脱落导致卡停的情况,提出将整体链条导轨改为无耐磨瓷砖结构导轨的方案。并于链条导轨入口段与浅槽分选区(物料段)设置隔离网孔隔板,同时针对与底板间隙较大,在刮板运行过程中经常出现物料窜入导轨入料端,进入导轨卡住链条的现象,采用在隔板下方安装挡煤皮子的方法解决。     

Ku波段O-π单片集成移相器

<正>自1978年第一块单片开关电路问世以来,各种电路结构形式以及各种工作频率的单片移相器不断涌现.由于单片移相器具有控制速度快、功耗低、尺寸小、重量轻及频带宽等优点,逐渐取代了采用PIN管作为控制器件的移相器.     

单片微波集成电路中集总参数元件模型及其CAD程序

本文给出了带状和螺圈电感、叉指和MIM电容、有源层和金属膜电阻等常用于单片微波集成电路中的集总参数元件的分析模型,编写出了相应的计算机分析与设计程序——SLECAD,并能在1BM PC/XT微机上运行。利用此程序,对业已发表的元件数据以及本所的一些实验数据进行了对照分析计算,取得了相吻合的结果。