InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.     

面向主题的虚拟数据库

面向主题的虚拟数据库是对异种数据进行集成、透明访问、透明管理的一种技术.采用面向主题的虚拟数据库可对文件类型、Web类型、关系数据库类型、实时应用的数据进行统一访问,而访问方式和数据源无关,同时集成了各种异构的数据源,实际测试结果表明了该数据库的有效性.     

一个基于SOA的大型分布式计算机辅助教学系统

传统的面向对象的软件开发方法所开发的应用系统通常与开发工具、宿主平台、操作系统紧密耦合,容易导致和形成所谓的“信息孤岛”。面向服务的体系结构（SOA）被认为是解决分布式环境中软件重用、互操作、提高软件开发效率的有效途径。本文以一个具体的计算机辅助教学管理系统—NWU-CMI为实例,研究了利用Web服务实现基于SOA的大型分布式软件系统的有效方法,同时,深入分析了采用SOA体系结构开发NWU-CMI系统的代码重用、系统结构、服务组装等关键实现技术。     

GaN MOCVD生长速率及表面形貌随生长参数的变化

根据现有氮化镓(GaN)金属有机物化学气相淀积(Metalorganic Chemical Vapor Deposotion)生长动力学理论,结合具体的MOCVD反应腔体的构造,用计算流体力学和动力学蒙特卡罗方法对GaN MOcvD生长过程中的生长速率和表面形貌演变进行了计算机模拟.结果表明,在950～1350 K的温度范围内反应气体充分热分解,是适合GaN外延生长的温度区间;温度低于950 K,反应气体未能充分地分解,导致较低的生长速率;而温度高于1350 K则Ga组分的脱附现象开始变得严重,从而抑制GaN的生长速率.另一方面,较高的v/Ⅲ也会抑制GaN的生长速率.生长过程中表面形貌随时间的演变结果显示,GsN薄膜在高温下(1073～1473 K)为2D层状生长,在1373 K的温度下生长的GaN薄膜表面最为平整.     

Si1-xGex∶C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长

用化学气相沉积方法，在Si(100)衬底上生长Si1-xGex∶C合金作为缓冲层，继而外延生长了Ge晶体薄膜. 根据AES测量结果可以认为，缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4, C2H4反应而生成的Si1-xGex∶C外延层和由Si1-xGex∶C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层. 缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一，其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度，且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0E19cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当.     

电子文档保护系统的设计与实现

设计文档、重要图纸、商业机密等重要电子文档的合理使用和分发问题，是当前企业内部网所面临的最大的风险。文章针对实际应用需求和现有技术与产品的不足，提出了一个基于DRM的通用电子文档安全保护系统模型，深入分析电子文档保护的关键技术，详细讨论了文档保护系统的设计和实现。     

InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.     

基于红外差分和积分投影的驾驶员眼睛定位

眼睛位置的快速准确定位是利用机器视觉方法对驾驶员的状态进行监测以及预警的前提。为了检测出眼睛的位置,采用一种基于红外差分和灰度积分投影的方法进行了驾驶员眼睛的定位。首先利用瞳孔在近轴和远轴红外光分别照射下的不同状态,采集到瞳孔亮暗程度不同的两幅图像,然后将采集到的奇偶帧图像进行差分等相关形态学处理,获得了只包含瞳孔的二值化图像,最后分别对左右眼进行垂直和水平投影,获得左右眼的精确横竖坐标。对该方法进行了理论分析和实验验证,取得了很好的效果。结果表明,该方法具有较高的准确率和实时性。这一结果对下一步驾驶员的疲劳检测是有很大帮助的。     

基于面部检测和可变ROI灰度投影的驾驶员眼睛精确定位方法研究

提出一种基于面部检测和可变ROI(Region of Interested)灰度投影的驾驶员眼睛精确定位方法.用该方法通过肤色检测确定面部ROI和人眼矩形ROI,在ROI内对图像进行阈值二值化变换,接着对二值化后的人眼图像进行腐蚀、膨胀操作;对膨胀后的双眼进行垂直积分投影,并进行垂直ROI分割;分别在垂直ROI内对左、右眼进行水平投影,分别获得左、右眼睛的精确定位坐标.这种方法可有效克服由背景、头发、眉毛、睫毛、面部灰度分布不均、脸部旋转产生的干扰.试验证明方法具有相当高的实时性和准确性.     

Si1-xGex:C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长

用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4,C2H4反应而生成的Si1-xGex:C外延层和由Si1-xGex:C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一,其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度,且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0×1019 cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当.