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在先进工艺节点下,鳍式场效应晶体管(FinFET)工艺相对于平面技术提供了在功耗、性能与面积上的优势。但相对地,FinFET也会引起局部晶体管电流密度的骤增的问题,这也意味着信号线和电源地网络的金属电迁移可靠性会受到更大的冲击。随着FinFET的热分布对互联金属线的温度影响上升,电迁移失效概率上升的次级效应也由之产生。如今,热效应的影响已经成为了广大设计公司不得不考虑的因素之一,在生产商的引导之下,Cadence Voltus提供了针对热效应带来影响的精准、强大并且灵活的解决方案。基于此点对高平均翻转率的芯片进行热效应影响的检查与分析,并且对电源的结构规划和设计的物理实现进行改进。 相似文献
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随着半导体特征工艺尺寸的缩小,IC芯片的物理参数和电学参数的波动越来越明显,特别是在高速芯片的设计中,那些满足简单功能性验证的芯片,就有可能由于时序的不满足导致厂商莫大的损失.重点在于给芯片设计者一个简要的静态时序分析(Static Timing Analysis简称STA)的概况.通过一个简单的例子,主要阐述了:面对伴随着半导体工艺特征尺寸缩小而来的时序问题,STA各自不同的分析算法及其对分析结果的影响;以及真正设计过程中如何借助EDA工具与约束文件实现这样的算法.期望给予所有的IC设计者关于STA的一个大致了解.使得其在整个设计过程中都能够考虑到时序问题.并且使用合适的分析算法,从而有效提高芯片的良率. 相似文献
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