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1.
铯原子激光共振电离   总被引:1,自引:0,他引:1  
用Nd:YAG及其泵浦的染料激光进行铯原子三步共振电离。求解了非饱和共振过程速率方程,计算出基态和激发态共振吸收截面,给出电离效率分别与激发电离速率以及作用时间的变化关系,得到饱和激发电离的流量条件和通量条件。  相似文献   
2.
缪国兴  苏小保 《微波学报》2010,26(Z1):502-504
慢波系统的高频参量决定了行波管的功率和增益特性,谐波与基波频率下的高频参量的关系决定了行波管输出的谐波与基波的比例。本文在较宽的参数变化范围内对比分析相速、耦合阻抗在频带内的不同分布状态对低端的二次谐波比的影响。计算结果表明,相速之比为0.96 附近对应为二次谐波比最大的状态,此变化规律与频率的相关度较小;而谐波与基波的耦合阻抗之比越大,二次谐波比越大。对于宽带行波管,在翼片加载的高频结构中调整翼片内径就可以使输出的二次谐波比产生较大变化。  相似文献   
3.
本文介绍了中科院电子所Ku波段150 W连续波空间行波管的设计、模拟和测试结果。该行波管采用双阳极电子枪、螺旋线跳渐变慢波结构、非轴对称四级降压收集极、辐冷型散热器。动态通过率在98.5%以上,在12.25~12.75 GHz范围内输出功率大于154 W,效率大于62%,增益大于51.8 dB,饱和点非线性相移小于46.65°,AM/PM变换系数小于4.31°/dB。环境试验结果表明行波管结构设计符合卫星力学环境条件,热设计符合空间环境试验条件。  相似文献   
4.
脉冲空间行波管主要用于环境卫星、微波遥感卫星、海洋卫星等军民用卫星系统,本文主要介绍了中国科学院电子学研究所脉冲空间行波管的研制进展,包括栅控电子枪、双渐变慢波系统、高匹配性能输能结构、多级降压收集极的设计方案、样管测试结果及环境试验情况等。  相似文献   
5.
刘亚威  苏小保 《微波学报》2012,28(S1):300-302
功分器作为功率合成电路中的关键器件,直接影响功率合成效率,目前功率合成技术的设计难点是提高各分配支路间的隔离度。本文应用CST MICROWAVE STUDIO 对传统魔T 进行阻抗匹配仿真,实现良好隔离度;进而对折叠魔T进行仿真,较传统魔T 具有小型化的特点。  相似文献   
6.
本文介绍了一种通过CAD分析方法提高行波管性能的实例,用计算机模拟仿真行波管慢波结构的冷特性参数,利用MAFIA软件的准周期边界条件模拟计算行波管慢波系统的色散和耦合阻抗。通过改变不同结构参数的模型分析,最终得到一种最优化的尺寸模型,并结合实际制管验证比较,提高了行波管的性能,缩短了改进周期。  相似文献   
7.
卢秉嵩  苏小保 《激光杂志》1995,16(6):266-269
用Nd:YAG及其泵浦的染料激光进行锂原子三步共振电离,求解非饱和共振过程的速率方程,计算基态和激发态的共振吸收截面,给出了电离效率分别与激发,电离速率以及作用时间的变化关系,得出饱和激发电离的流量条件和通量条件等,并进行了讨论。  相似文献   
8.
李文秋  王刚  苏小保 《电子学报》2018,46(2):268-275
根据表面波在非磁化等离子体柱中的色散关系,理论计算得到存在电子-中性原子碰撞、径向与轴向等离子体密度非均匀分布条件下m=0角向模表面波波矢实部与虚部随信号频率、等离子体密度的变化关系.然后利用波矢的实部与虚部、等离子体柱天线表面指数分布电流模型、等离子体阻抗,推导得到等离子体柱天线的辐射方向图随信号频率、等离子体密度的变化关系;最大增益、天线辐射阻抗随信号频率的变化关系;天线径向能量辐射随等离子体密度的变化关系.理论计算结果表明等离子体柱天线辐射方向图随信号频率、等离子体密度的改变而变化非常明显,信号频率对最大增益、天线辐射阻抗的影响显著;同时,这些理论计算结果与他人实验实测结果吻合,这对于设计高精度要求的等离子体天线提供了重要的理论参考价值.  相似文献   
9.
采用不同气氛等离子体处理PTFE/陶瓷复合介质材料,利用XPS分析了处理样品表面成分的变化,发现等离子体处理导致表面F的含量降低和O的含量增加。高分子表面出现了不同成分的含氧基团,且随着时间的增加,微波功率的增大,-CF2基因减少,含氧基因增加,这表明不同氛等离子体与PT-FEC表面的作用是刻蚀,脱氟,交联和氧化同时并存,其中以氧等离子体刻蚀最为严重。  相似文献   
10.
采用离子束辅助沉积方法(IBAD)在Si(111)衬底上沉积了铪薄膜. 实验发现 在铪膜生长时, 轰击铪膜的Ar+离子的能量、入射角度和束流密度对薄膜的晶粒取向有很大的影响. 当Ar+离子的能量为500 eV、入射角为75°、束流密度为0.9 A/m2时, 铪膜为(110)择优取向. 当束流密度大于1.2 A/m2时, 铪膜以(002)、 (100)混合晶向为主, 而与Ar+离子的入射角度无关. 讨论了铪膜晶粒取向的转变机制, 认为铪膜晶粒的择优取向, 不是单纯地取决于基于沟道效应的溅射机制, 或取决于基于能量极小原理的表面能最小或表面应力最小的面生长较快的机制, 而是影响薄膜生长的各种因素互相竞争、共同作用, 在非平衡态条件下表面能极小化的结果.  相似文献   
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