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1.
蒋磁控管方式溅射用于微波ECR等离子体沉积技术。在低气压和下沉积了高度C轴取向的ZnO薄膜,其膜的沉积速率比普通CER溅射中所得到地速率大得多,并且在Φ12cm的膜区域内显示出良好的均匀性。  相似文献   
2.
利用自行研制的新型石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置进行轩金刚石薄膜的实验研究。用扫描电子显微镜(SEM)对形貌观察和喇曼谱测试表明,由此装置可以面积较大、晶体良好、杂质少、比较纯净的高质量金刚石薄膜。  相似文献   
3.
基片位置对MWPCVD制备金刚石薄膜的影响   总被引:2,自引:1,他引:1  
在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明,对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言,基片位置处于近等离子体球下游区域将有利于改善金刚石薄膜沉积质量。  相似文献   
4.
基于微波电子回肇共振(ECR)等离了体中的物理和化学性质变化会引起微波传输线阻抗的变化,采用微波三探针研究了ECR等离子体的微波阻抗随装置运行参数的变化情况,并通过一个简单的放电等效电路将阻抗的变化和等离子体性质的变化联系起来。实验结果表明,通过对ECR等离子体阻抗特性分析,可以在不对其产生干扰原情况下解其性质的变化。阻抗特性分析为ECR等离了体的机理研究提供了一种新的诊断途径,有利于ECR等离子  相似文献   
5.
介绍了水冷反应室式MWPCVD制备金刚石膜装置的结构和工作原理,着重讨论了该装置长时间大功率稳定运行的措施。该装置在微波输入功率为3.0kW时能长时间稳定运行。用该装置成功地在硅衬底上沉积出金刚石膜。  相似文献   
6.
1. IntroductionDiamond films are expected to extend significajntlythe lifetime of cemented carbide tools for workingnonferrous materials. However, the deposition of diamond films on cemented carbides is strongly hiredered by the catalytic effect of cobalt under typicaldeposition conditions [l,2]. Decreasing Co contenton the surface of the cemented carbide is a methodoften used to eliminate the influence of Co. But theCo leaching from the WC-Co substrate usually leadsto a mechanically weak s…  相似文献   
7.
在水冷反应室式MWPCVD装置中以CH4和H2为反应气体进行了金刚石膜的沉积实验,研究了反应气体的压强对金刚石膜中非金刚石碳相含量的影响。实验发现,当微波输入功率较小时,随着反应气压的上升,沉积膜中非金刚石相碳的含量单调下降;当微波输入功率较大时,沉积膜中非金刚石相碳的含量先随着反应气压的上升而降低,后又随着反应气压的上升而稍稍增加。  相似文献   
8.
利用我们自己研制的磁约束直流等离子体设备,在低气压(<1Torr)下。用Ar+H2+CH4的混合气体在基片上进行了沉积金刚石薄膜的工艺研究。利用扫描电镜和拉曼光谱对不同的进气方式所制备出的金刚石薄膜的形貌和质量进行了比较。结果表明。当在基片表面附近引入碳源气体和大约50%氢气时,可以大大提高薄膜质量。  相似文献   
9.
利用自行研制的石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积金刚石薄膜装置,研究了硅基片的不同预处理方式对沉积结果的影响。通过扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明,基片预处理能提高形核密度;用于预处理的金刚石研磨膏的粒度不同,影响金刚石薄膜沉积时的形核密度,晶形和薄膜的质量;表面划痕对沉积金刚石薄膜的影响具有双重性。  相似文献   
10.
WC-Co硬质合金表面MW-PCVD制备金刚石薄膜去钴预处理的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了WC-Co硬质合金刀具表面微波等离子体化学气相沉积(MW-PCVD)制备金刚石薄膜时不同的去钴预处理方式的影响。扫描电子显微镜形貌观察和喇曼谱分析表明,利用氢-氧等离子体处理方式有显著的去钴效果,相应沉积获得的金刚石薄膜质量相对较高。与酸腐蚀处理相比,微波等离子体化学气相沉积装置中实现氢-氧等离子体处理方式具有独特的优越性。  相似文献   
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