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1.
以固相法制备的单一晶相、粒径细小且发光性能优越的NaYF4:Er3+,Yb3+上转换发光材料为原料,制备出了红外激光探测卡.并对粘结剂、稀释剂加入量对探测卡性能的影响进行了研究.当粘结剂、粉体和稀释剂质量比为2:8:1时,得到的红外激光探测卡的性能最佳.  相似文献   
2.
针对ECM PV450炉型高效铸锭工艺电池转换效率偏低问题进行研究及实验,通过优化热场结构使侧部加热器与坩埚底部籽晶相对位置的变化,在纵向上提升侧部加热器高度、在横向上添加保温材料,使籽晶尽可能与加高温隔离;同时改进化料工艺适当增加顶部温度、降低侧部和底部熔化温度,在设备和工艺两方面最大限度的保护坩埚底部籽晶不被高温熔化,保证硅锭籽晶的完整性,消除了硅锭边角区域的效率短板,平均电池转换效率由18.33%提升至18.48%,大幅度提高了铸锭品质.  相似文献   
3.
采用共沉淀法制备掺钬氟化钇钡[分子式:Ho:Ba Y2F8,简称Ho:BYF]粉体,确定了粉体制备的最佳工艺条件。以NH4F溶液为沉淀剂,EDTA为螯合剂,乙二醇为分散剂,采用顺序滴定法,获得Ho:Ba Y2F8前驱体。对前驱体在不同温度下进行烧结,并采用XRD,FI-IR,TG—DTA和SEM测试手段对样品进行表征与分析。结果表明,前驱体在550℃左右开始由Ca F2型(立方相)向单斜相转变;最佳烧结温度为650℃,粉体尺寸约100nm。  相似文献   
4.
家电产品在长期使用过程中,普遍存在细菌、真菌等微生物超标而引发的污染问题。以抗菌材料应用和加热、光辐射、活性粒子以及电场技术等为代表的抗菌技术,经过多年的发展已在多品类家电中推广并服务于广大用户。对目前家电的微生物污染情况进行概括,并结合国标对家电抗菌和卫生的规定,对现有的家电抗菌技术进行总结和分析,展望未来家电抗菌的发展方向。  相似文献   
5.
为满足便利、安全、美观的直流家电需求,海尔智家研发了电饭煲、搅拌机、破壁机、咖啡机等系列直流家电产品,并成功将1200 W功率级别的直流无线供电系统应用到了直流家电中,形成了系列直流无线供电家电。在直流无线供电家电研发优化过程中,为消除直流无线供电家电在特殊情况下可能出现的安全隐患,设计和实现了基于优先级的分布式仲裁机制的优化方案,增强了直流无线供电家电的鲁棒性和安全性。首先,介绍了直流无线供电家电及其供电系统的设计方案;其次,详细阐述了基于优先级分布式仲裁机制的即放即用优化方案仲裁规则,及其应用于海尔智家直流无线供电系统中的工作过程;最后,设计了样机及测试方案,验证了优化方案的有效性。  相似文献   
6.
家用电器产品更新换代速度越来越快,废旧家电再利用的问题已成为人们关注的焦点,本文从家电产品的绿色设计内涵出发,介绍了绿色设计的技术先进性原则、环境协调性原则和最佳综合效益原则;从环保材料选择、面向拆卸设计、面向回收设计、产品生命周期评价四方面研究家电产品的绿色设计关键技术。  相似文献   
7.
利用水热法合成了纳米级的Ho,Tm:BaYbF5上转换发光纳米粒子。通过XRD和SEM观察分析,随着pH的升高,逐渐合成BaYbF5纯相,分散性较好。产物具有良好的结晶性,粒径分布均匀。在980nm LD激发下,发射光谱中最强峰位于540nm,对应于Ho3+离子的5S2→5I8的跃迁,并给出了Yb-Tm-Ho的上转换发光机制。尺寸较小的Ho,Tm:BaY-bF5上转换发光纳米粒子在生物荧光标记等领域具有潜在的应用价值。  相似文献   
8.
采用中频感应提拉法,生长铥镱共掺钨酸钆钠[Tm,Yb:NaGd(WO4)2,Tm,Yb:NGW]激光晶体;讨论了Tm, Yb:NaGd(WO4)2晶体生长工艺参数,获得了合适的晶体生长工艺参数:拉速1~2mm/h,转速20~22r/min,降温速率10℃/h。研究了Tm,Yb:NaGd(WO4)2晶体的荧光光谱。结果表明,在980nm激光的激发下,该晶体在1031mm、1772nm附近获得了较强的荧光发射,分别对应于Yb3+离子的2F5/2→2F7/2能级跃迁以及Tm3+离子的3F4→3H6能级跃迁,1772nm处的半高宽为72nm左右。  相似文献   
9.
基于DOPPP的高效白光OLED器件   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用真空热蒸镀的方法,以荧光染料1-(2,5-d imethoxy-4-(1-pyrenyl)-phenyl)pyrene (DOPPP)为蓝发光 层,5,6,11,2-Tetraphenylnaphthacene (Rubrene)为黄发光层,制备了结构为ITO/m-M TDATA(10nm)/NPB(30nm)/ Rubrene (0.2nm)/ DOPPP (x nm)/TAZ(10nm)/Alq3(30nm)/LiF(0.5nm)/Al的双发光层的高效白色有机电 致发光器件(OLED)。通过调整DOPPP层的厚度,研究器件的发光性能。当DOPPP层厚小 于25nm时,器件以 黄光发射为主;当DOPPP层厚为25nm时器件的性能最佳,在电流密度为209.18mA/cm2时,获得最 大亮度为9232cd/m2,在电流密度为103.712mA/cm2时获得最大电流效率4.68cd/A, 并随着驱动电压 的升高,器件的色坐标从(0.366,0.365)变化到(0.384,0.399),都在白光的范围之内;当DOPPP层厚度超过25nm时,器件的效率和亮度 都开始下降。  相似文献   
10.
采用中频感应提拉法,生长钬镱共掺钨酸钆钠[Ho,Yb:NaGd(WO4)2,Ho,Yb:NGW]单晶;获得了合适的Ho,Yb:NGW晶体生长工艺参数:拉速1~2mm/h,转速20~22r/min,降温速率10℃/h。测试了晶体的红外光谱和拉曼光谱,对晶体振动进行了归属。研究了Ho,Yb:NGW晶体的荧光光谱,结果表明:Ho,Yb:NGW晶体的荧光光谱波长位于1.90~2.05mm范围内,呈带状连续分布,其中最强峰的发射波长为2043nm,对应Ho3+的5I7→5I8能级跃迁,半峰宽约为100nm。  相似文献   
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