NDZ-20医用电子直线加速器的注入系统

文章介绍了NDZ-20医用电子直线加速器的束流注入系统的结构和特性。电子枪为轰击型的皮尔斯电子枪。漂移管上的预聚焦线圈、偏掉线圈、导向线圈和束流前沿切割线圈用来实现对电子束的多种控制,实现加速器的ARC,ADC和BLC运用,以保证加速器运行的稳定性和可靠性,改善反馈加速器的能谱。     

12MeV、4.2kW电子直线加速器的辐照应用

研究了能量为６～１２ＭｅＶ、平均束功率为４．２ｋＷ的工业辐照用电子直线加速器的应用。结果表明，它在对改装半导体器件（二极管、三极管、可控硅）参数特性，大蒜辐照抑制发芽和食品辐照杀菌保鲜综合辐照加工方面更为合适。     

Investigation of EL2 Defect in 10 MeV Electron Irradiated Undoped Semi－insulating LEC GaAs

ＩｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆＥＬ２Ｄｅｆｅｃｔｉｎ１０ＭｅＶＥｌｅｃｔｒｏｎＩｒｒａｄｉａｔｅｄＵｎｄｏｐｅｄＳｅｍｉ－ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇＬＥＣＧａＡｓＷｕＦｅｎｇｍｅｉ，ＳｈｉＹｉ，ＣｈｅｎＷｕｍｉｎｇ，ＷｕＨｏｎｇｗｅｉａｎｄＬａｉＱｉｊｉ（...     

高能电子对塑封二极管辐照的研究与应用

对１２ＭｅＶ电子辐照塑封二极管进行了研究，列举了样品实验结果，阐述了高能电子的优异性能和这一技术的应用情况。     

12MeV电子辐照在硅器件中的应用

在硅器件制造中,用电子束辐照代替扩金等工艺以控制少子寿命,近年来引起了人们很大的兴趣.十几年来美国西屋、G.E.公司发表了很多有关高能加速电子辐照硅功率器件以控制少子寿命的文章.我国自1980年以来,也有一些高校、研究所和工厂对能量如1.3MeV和3～5MeV的电子辐照进行了研究,并初步用于某些硅功率器件生产线上.全面衡量各参数,12MeV电子辐照比低能电子或Co-γ辐照更有利于器件全面参数的最佳化.特别对于快速     

GaAs MESFET电子辐照效应的研究

本文研究了GaAs MESFET的12MeV电子辐照效应.在n型VPE GaAs有源层中电子辐照感生了E_1~＇(E_c-0.38eV)、E_2~＇(E_c-0.57eV)、E_s~＇(E_c-0.74eV)缺陷.研究表明,GaAsMFSFET参数的变化主要是由于载流子去除效应.对器件载流子去除率进行了计算,其值在8-30cm~(-1)范围内.迁移率退化因子是比较小的,在室温大约为10~(-17)cm~2量级.     

采用高能电子束辐照技术制造高反压大功率开关晶体管

应用最佳能量为１２ＭｅＶ的电子束对大功率开关晶体管进行了辐照。结果表明，经电子束辐照的开关晶体管具有开关特性优良、热稳定性高、器件参数一致性好等特点。     

射频反馈电子直线加速器的稳态特性

本文讨论了含聚束器的射频反馈电子直线加速器基于耗散方程的稳态束负载理论,导出了加速器稳态特性的解析关系,最后计算了桥比n=1和n=n_(opt)加速器的负载特性。