SBS改性沥青在高速公路路面中的应用分析

结合某高速公路实践,对总结近几年来建成高速公路的施工经验和分析运营使用情况下,采用SBS改性沥青上面层来提高沥青路面的温度稳定性及弹性恢复性能加以探讨分析.     

混凝土小型空心砌块墙体抗剪性能数值模拟研究

对混凝土小型空心砌块砌体墙的抗剪性能进行了研究,建立了不同高宽比的混凝土小型空心砌块砌体墙有限元分析模型。对不同的高宽比的砌块砌体墙在不同的竖向荷载作用下的水平抗剪性能进行了数值分析,计算了墙体的水平开裂荷载和破坏荷载,模拟了墙体从开裂到破坏的全过程,分析了不同的竖向荷载和不同的高宽比对墙体水平抗剪性能的影响。墙体受竖向荷载和水平荷载共同作用是工程中常遇到的一种受力状态,研究砌块砌体墙在这种受力状态下的开裂过程和破坏以及高宽比对墙体的开裂与破坏的影响,对于丰富砌体结构的基本理论和工程设计具有较大意义。     

“电业安全及安全规程”课程改革中的若干建议

通过对"电业安全及安全规程"课程的教学内容、教学方式方法、考核模式改革做了较为详细的阐述,对其他中职精品课程建设提供一定的建议,从而达到为社会提供优秀高素质劳动者和中初级技能人才的目的。     

浅议新疆电网企业法规风险的规避

新疆电网企业受诸多因素制约而产生的法律风险正在与日俱增,为了防范和化解法律风险,通过对新疆电网经常出现的法律风险进行分析,提出了相应的对策与途径,从而达到了提高员工法律素质的目的。     

80 Gb/s 2 : 1 multiplexer in 0.13-μm SiGe BiCMOS technology

This work presents an ultra-high speed 2 : 1 multiplexer (MUX) in a SiGe BiCMOS technology with fT = 103 GHz. To boost the operating speed, the system scheme is optimized including a 2 : 1 selector circuit directly driving an external 50 Ω load, and two wide-band data buffers and one clock buffer in the input stage. The chip exhibited an open eye at 80 Gb/s with a 160 mV single-ended voltage swing.     

上海某江南民宅文物勘察与修缮应用

上海某江南民宅拟进行修缮,为了解该民宅的现状为后续修缮提供依据,对该民宅进行了勘察及评估,并根据房屋修缮与保护的原则,提出了相应的保护性修缮方案,为今后同类民宅的勘察及修缮提供借鉴.     

温度应力引起顶层框架柱开裂典型案例分析

某32层的框架剪力墙结构高层建筑建造于21世纪初,其顶层设计为直升机停机坪。近期发现房屋顶层局部框架柱出现了严重的裂缝。介绍了对该房屋的现场检测情况,并对裂缝产生原因进行了分析,发现该裂缝是比较罕见的由于屋面温度应力引起的框架柱开裂。最后指出设计施工过程中应注意构造缺陷引起的短柱问题,以及日常使用过程中屋面应注意防水层老化引起的温度应力问题。     

80 Gb/s 2 ： 1 multiplexer in 0.13-μm SiGe BiCMOS technology

This work presents an ultra-high speed 2 ： 1 multiplexer （MUX） in a SiGe BiCMOS technology with fT = 103 GHz. To boost the operating speed, the system scheme is optimized including a 2 ： 1 selector circuit directly driving an external 50 Ω load, and two wide-band data buffers and one clock buffer in the input stage. The chip exhibited an open eye at 80 Gb/s with a 160 mV single-ended voltage swing.     

Design of a 40-GHz LNA in 0.13-μm SiGe BiCMOS

A low-noise amplifier(LNA)operated at 40 GHz is designed.An improved cascode configuration is proposed and the design of matching networks is presented.Short-circuited coplanar waveguides(CPWs)were used as inductors to achieve a high Q-factor.The circuit was fabricated in a 0.13-μm SiGe BiCMOS technology with a transistor transit frequency fT of 103GHz.The chip area is 0.21mm2.The LNA has one cascode stage with a-3dB bandwidth from 34 to 44GHz.At 40GHz,the measured gain is 8.6dB;the input return loss,S11,is...     

基于0.13微米锗硅BiCMOS工艺的80 Gb/s 2:1 复接器

本文介绍了基于0.13微米锗硅BiCMOS工艺设计的超高速2:1复接器芯片,工艺fT为103 GHz。为了最大限度提高工作速度,系统方案进行了优化,采用了选择器输出直接驱动片外50 Ω负载的形式,并在输入级集成了两个宽带数据放大器和一个时钟放大器。经测试,芯片输出眼图达到了80 Gb/s的速率,单端电压摆幅为160 mV。