理想晶体标准电子通道图的计算机绘制

本文根据电子通道的性质和极射赤面投影的原理,编写了绘制理想晶体标准电子通道花样的计算机程序。结果表明:应用这种方法,不仅可节省大量试验,而且能迅速、准确、完整地绘制出七大晶系的理想晶体标准电子通道图。     

磁弹性型磁致伸缩多层膜的研究与开发

本文介绍了近年来对磁弹性型磁致伸缩多层膜的研究与开发，论述了研究过程中所探索出的一些多层膜的制备理论；探讨了包括多层膜的靶材选择、单层膜厚、层数、组织结构和真空热处理对其性能的影响。     

聚氯乙烯泡沫人造革的发泡问题

上世纪80年代初，北京塑料研究所在“聚氯乙烯泡沫人造革助剂的筛选”论文中，在国内首次确立了以偶氮二甲酰胺（AC）发泡剂作为聚氯乙烯（PVC）人造革的泡沫发泡剂，并合理选用PVC的稳定剂兼作AC发泡剂活化助剂的基本论点。20多年来人造革生产发生了巨大的变化，干、湿法聚氯酯人造革以及PVC牛津革等产品的比例有所增加PVC人造革表面处理的方法和花样不断在求新求变，但是，以PVC泡沫人造革为主导产品的市场地位没有变更。     

压延法聚氯乙烯牛津人造革生产工艺

简要介绍了压延法生产PVC牛津人造革的生产工艺,其关键在于粘合剂和改性树脂的选择,及配方调整.     

512×512元PtSi肖特基势垒IR CCD图像传感器

研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为36μm(H)×34μm(V),填充系数为40％。器件工作在80K温度下。在阵列帧频为30帧每秒及镜头为 F/1条件下,器件噪声等效温差为0.15K。用1000K黑体测得其探测率D~*为1×10~(10)cm·Hz~(1/2)/W。对器件设计及性能测试结果进行了介绍。     

晶体电子通道花样的计算机注释

晶体电子通道花样的结晶学注释是电子通道花样分析与应用的基础。1980年廖乾初等提出的棺似原理分析法不仅成功地解决了立方晶系电子通道花样的快速注释问题,而且也为非立方晶系电子通道花样注释指出了方法原则。但当把相似原理分析法运用于非立方晶系时,仍有不便之处。相似原理分析法的基点在于把被测试样电于通道带之间的宽度比K     

聚氯乙烯泡沫人造革的发泡问题

论述了聚氯乙烯（PVC）人造革的发泡机理,分析了离型纸工艺和压延工艺中的对发泡有影响的因素,提出了生产中需要控制的要点。