掺杂高温多晶硅和低温多晶硅的氧化

引言 在双极型半导体集成电路和MOS集成电路中,CVD多晶硅膜广泛用作隔离、互连引线、硅栅、钝化等工艺,近年来采用双层多晶硅工艺的16k以上RAM及BoMos (1)（掩埋氧化物MOS）中的源、漏区、则代表了多晶硅在LSI中新的应用。特别是用作互连引线及双层多晶硅中的多晶硅,必须进行多晶硅氧化,以提供电绝缘,就要求多晶硅氧化层是一层可靠的、电导率低的绝缘材料通常,用作硅栅的多晶硅膜在700℃左右温度下淀积,我们把它称作低温多晶硅。而应用于BoMoS中作源、漏的多晶硅膜是在高     

滚球机在半导体器件生产中的应用

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