薄膜均匀性的分析研究

目前,薄膜在现代科学技术中的重要性与日俱增,基本上各种技术都离不开薄膜。薄膜均匀性在光学、光电及微机电系统(MEMS)等器件的加工工艺中起着不可估量的作用。首先,对点源小面积薄膜均匀性的公式进行理论推导;其次,分析了平面和球面夹具的基片薄膜均匀性公式,并根据这些理论公式着重分析影响薄膜均匀性的各种因素以及改进措施;最后,通过对实验数据的分析研究来不断地改进薄膜均匀性的夹具,改善器件的膜厚均匀性、一致性,从而达到提高器件的稳定性和可靠性,降低生产成本的目的。     

单晶炉上称重电子秤系统的研究与分析

以JDG-800型全自动单晶炉使用的某型电子秤为例,研究分析单晶炉上称重电子秤系统在动态下稳定数据和漂移数据之间的规律,并利用软件方式克服漂移数据,获得稳定的数据。对于精密称重如何去除漂移数据和如何对信号进行数字滤波具有借鉴意义。     

稳定提拉法晶体生长界面的装置和方法研究

为了解决传统提拉单晶体生长界面不稳定的难题,该文在传统全自动提拉单晶炉等径控制理论的基础上,通过原料补充装置,不断添加与晶体生长量相等的晶体原料至坩埚内,以稳定晶体生长液面的高度不变;再通过光学放大和电荷耦合器件（CCD）成像装置测量晶体实时直径的变化,以此变化率调整晶体旋转速度,最终使晶体生长界面始终维持在一个相对稳定的理想状态,从而保证晶体外形符合设定要求和内部品质的优良。     

微下拉法晶体生长炉自动控制系统的研究

该文研究了微下拉法晶体生长炉晶体生长的稳定性。根据微下拉法晶体生长特点,设计了2种微下拉法晶体生长的功率自动控制方法,通过控制弯月面高度和生长晶体质量,实现晶体生长自动控制,保证生长过程稳定,实验结果表明,采用自动控制方式可以生长出外形美观,内部质量好的纤维晶体。     

全自动提拉单晶炉系统控制技术

详细阐述了一种全新单晶炉自动控制系统,该系统采用工业控制计算机为数据控制核心,上称重控制传感器进行晶体数据采集,利用感应加热或电阻加热方式控制单晶炉温场。通过对单晶炉控制系统特性研究和热场模型的正确推导,有效解决了系统温场及晶体结晶过程中引发的大滞后及系统非线性控制问题。试验结果表明,该系统控制稳定可靠,各项性能指标均达到国际先进水平。     

4英寸锑化铟晶体自动生长控制研究与实现

锑化铟(InSb)晶体是一种中波红外光电子材料,在工程实践领域已得到广泛应用。但锑化铟晶体受温场结构和其固有特性的影响,在生长过程中表现出对温度(功率)变化的敏感性和滞后性相矛盾的特点,导致在生长过程中自动控制较难。该文开展了针对锑化铟晶体对温度(功率)变化滞后性和敏感性的工艺研究与实验,分析了滞后时间与功率改变量之间的关系,通过算法解决了相应的问题,最终实现了4英寸(1英寸=2.54 cm)锑化铟晶体自动化控制生长。