GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器的光电流谱

测量了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器在零偏压、小偏流和大偏压等条件下的光电流谱，并结合理论计算的光跃迁能量讨论了光电流谱的多峰结构和异常增强特性。     

共晶系相图的对称性和形态描述

本文从液固相变的对称性假设推导出二元共晶系相图的形态描述,并讨论了特性函数的展开及其系数的确定.利用富Te-HgCdTe体系的实验数据进行了相图的形态计算,计算出的结果与实验符合得相当好.由此得出共晶系相图的形态描述是一种能简便且较准确地算出液相线温度的相图解析描述法.     

同形系相图的对称性和形态描述

本文引入液固相变的对称性假设讨论了二元同形系相图的对称性,从对称性结构方程出发推导出相图的形态描述和确定相图参量的约束方程。利用(Hg,Cd)Te赝二元系相图的实验数据检验了相图的对称性和进行了相图的形态计算,从而得出相图的形态描述是一种与实验符合得相当好且简明的相图解析描述法。     

从平衡分凝系数计算二元同形系相图

本文从液固相平衡出发,推导出二元同形系液固相变的平衡分凝系数与其等效相变潜热的关系,又从二元同形系的分子间作用势和相图的对称性得到等效相变潜热的近似表达,从而导出计算二元同形系相图的分凝系数法.用分凝系数法计算了(Hg,Cd)Te赝二元同形系相图,所计算的液固相点温度与实验值的拟合度与用较复杂的热力学方法计算的结果相近.     

GaAs／AlGaAs多量子阱红外探测器电极引接损伤研究

从柱形流变模型出发讨论了压焊引接电极时受压面的压强分布，压力损伤半径和深度以及超声压焊时的损伤，并讨论了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器的超声压焊的压力损伤和Ｉｎ球熔焊的Ａｕ丝力损伤。     

液相外延生长理论对(Hg,Cd)Te的应用

本文定量讨论了(Hg,Cd)Te体系的绝对分凝系数、扩散系数、临界过冷度和有效分凝系数与生长条件的关系,并计算了富Te熔体液相外延生长8～14μm响应波段材料的生长条件。     

Si_（1－x）Ge_x合金的浅杂质光电导谱

在４．２—５０Ｋ温度范围内研究了直拉法生长的富含Ｓｉ的Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ合金的浅杂质光电导谱，首次观察到了锗硅合金中从硼受主杂质基态到ｐ３／２价带的光电离跃迁过程及硼受主杂质的与自旋－轨道分裂带（ｐ１／２价带）相联系折光电导过程，并由此确定了硼杂质的电离能．结果表明，低锗组分下，Ｓｉ（１－ｘ）Ｇｅｘ合金中浅受主杂质电离能随合金组分线性变化．     

液相外延生长(Hg,Cd)Te的相点移动

本文推导出了富Te熔体液相外延生长(Hg,Cd)Te中,Hg的挥发损耗和生长使母液相点移动的表达式;定量计算了几个设定生长条件下的相点移动参量值,从而讨论了相点移动对液相外延生长的一些影响。     

δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移

本文报告了在δ掺杂硅ｎ－ｉ－ｐ－ｉ结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱动蓝移,它不同于在ＧａＡｓ和ＧｅＳｉ超晶格中观察到的结果．这个新现象能够被载流子注入引起有效带隙的展宽所解释．基于有效质量近似,计算了自洽势和有效带隙随额外载流子浓度的变化,理论结果证实了实验结果的正确性．