甲基磺酸亚光纯锡电镀添加剂的研究

锡铅合金因其优良的可焊性和耐晶须性能广泛应用于电子工业中.但世界各国正在不断颁布严格的法规限制电子产品中铅的使用,在这样的背景下,国内外都在积极开发无铅电镀工艺,其中电镀纯锡工艺得到电子厂商的普遍认可.运用电化学和化学方法开发了一种亚光纯锡电镀添加剂.通过Hull Cell试验和电镀模拟试验确定了工艺:150～210 g/L 甲基磺酸,12～18 g/L Sn2 ,温度15～25 ℃,电流密度0.5～2.0 A/dm2,10～80 mL/L添加剂BSn-2004,并测定了镀液和镀层的性能.结果表明,该添加剂工艺稳定性好,且镀层可焊性优良、抗变色能力强,可取代高污染的锡铅电镀工艺.     

三价铬电镀铬的研究

采用硫酸盐体系和铱钌涂敷钛阳极进行了三价铬电镀工艺的研究,制备的三价铬电镀溶液成分简单,电流效率高,电沉积速度达到2 μm/min,可以在15 ～45℃的温度区间操作,镀层δ达到80 μm以上.采用X-射线测厚仪和衍射仪,对镀层的厚度和结构进行了测试.     

3种典型絮凝剂处理电镀废水的效果

分别以聚丙烯酰胺、聚合氯化铝、聚合硫酸铁为絮凝剂处理电镀废水。先研究了pH和絮凝剂投加量对不含重金属离子的模拟废水COD去除效果的影响,并对废水处理工艺流程进行选择。随后比较了不同絮凝剂单独和组合使用处理含重金属离子模拟电镀废水的效果。最后研究了不同工艺流程对实际电镀废水处理效果的影响。结果表明,采用PAC和PAM组合絮凝剂处理废水时的效果最好。采用两步絮凝法处理COD较高的实际电镀废水能有效去除COD和重金属。     

高硅铝合金电镀环保前处理技术研究

针对当前高硅铝合金电镀前处理中存在高化学需氧量(COD)、磷酸根、硝酸、氢氟酸、氰化物和重金属等污染的问题,开发了一套高硅铝合金电镀环保前处理工艺,该套工艺COD低,无磷酸根、硝酸及氢氟酸,不含氰化物和重金属,使用过程中无NOx气体和HF气体释放。采用相关标准测试了除油剂的洗净力和腐蚀性能;采用贴试纸法和锉刀试验考察了沉锌层的孔隙率和后续镀层的结合力。结果显示:该工艺获得的沉锌层孔隙率低至0.1个/cm2,结晶细致,后续的镀层结合力良好;该工艺完全能替代传统的高硅铝合金电镀前处理工艺,且符合当前推行的清洁生产和环保法规要求。     

引线框架高速镀银中防银置换剂

防银置换剂直接影响引线框架高速镀银镀层结合力、可焊性及电性能,通过电化学测试方法进行筛选和工艺验证,开发出一种新型防银置换剂。应用结果表明,该防银置换剂既能有效防止基材与镀液发生置换反应,又能满足引线框架其它性能要求。     

氯化物体系三价铬电镀工艺研究

开发了一种氯化物体系三价铬电镀工艺。讨论了Cr（Ⅲ）、配位剂、导电盐、硼酸、润湿剂、去极化剂、pH和温度等工艺参数的影响。通过Hull cell试验和小槽挂镀试验,制备了氯化物体系三价铬电镀用石墨阳极。并确定了全套工艺规范。测定了镀液及镀层的性能,结果表明,该体系具有良好的稳定性。在10-20A／dm^2光亮电镀范围内,分散能力为70％-84％,覆盖能力为100％,所得镀层颜色白亮。耐蚀性优良,综合性能与国外同类产品相当。     

保护后的铜镀层的耐蚀性表征

为了快捷方便地表征铜镀层的保护膜的耐蚀性,采用中性盐雾试验、Tafel极化曲线和交流阻抗法表征3种典型的保护剂(BCu-10、苯并三氮唑乙醇溶液、2-巯基苯并咪唑乙醇溶液)保护后的铜镀层的耐蚀性,对3种表征结果进行比较.结果表明:3种表征结果一致,3种保护剂的保护效果从优到差依次为 BCu-10、苯并三氮唑乙醇溶液、2...     

硫酸盐体系三价铬硬铬电镀工艺研究

通过赫尔槽试验、小槽试验和中试试验,确定了硫酸盐体系三价铬硬铬电镀溶液活性配位体和催化剂的组成和含量,以及镀液的工艺规范,并对镀液和镀层性能进行了测试。结果表明,镀液稳定性好,电流密度范围可达35~50 A/dm2,电流效率为29.8%~34.1%,镀层接合力优良,外观均匀白亮,厚度〉40μm,硬度达到996.5 HV,中性盐雾试验〉200 h。     

硫酸盐体系三价铬电镀工艺研究

开发了一种硫酸盐体系三价铬电镀铬工艺,确定了其所使用的阳极,并将所获得的产品相关性能参数与国外同类产品进行了对比.结果表明,所采用的涂层钛阳极(DSA)寿命长,可很好抑制Cr6 的产生.自制镀液具有良好的稳定性,光亮区电流密度范围为2～25A/dm2,分散能力为84%～100%,覆盖能力均为100%;所获得镀层白亮而略带蓝色,结晶细密,其综合性能与国外同类产品相当.     

硅烷型防银胶扩散剂的制备及其性能

为抑制引线框架镀银层后续封装时导电银胶的渗出扩散问题,以硅烷偶联剂KH-550为主成膜剂,研制了一种硅烷型防银胶扩散剂,以其对银镀层进行处理,在镀银层表面制备了一层硅烷膜。采用接触角测试仪测试了镀银层经防银胶扩散剂处理前后的接触角,并通过金相显微镜观察了硅烷膜抑制导电银胶扩散的效果。结果表明:经过硅烷型防银胶扩散剂处理后,镀银层的接触角由40°~50°提高到70°~80°,试片疏水性增强;经防银胶扩散剂处理后的镀银层表面导电银胶扩散面积比例由19.53%减小到3.79%,扩散量减少,防银胶扩散处理有效地抑制了导电银胶的扩散。