以Ni-Al为底电极的P(VDF-TrFE)铁电电容器的结构与性能

应用磁控溅射法制备Ni-Al和Pt薄膜,溶胶-凝胶法制备P(VDF-TrFE)铁电共聚物薄膜,在SiO2/Si(001)衬底上首次构架了Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al异质结电容器。X射线衍射(XRD)结果表明:Ni-Al薄膜为非晶结构,P(VDF-TrFE)薄膜具有较好的结晶质量。研究发现,在20 Hz测试频率下,Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al电容器具有饱和的电滞回线,在90 V驱动电压下,剩余极化强度与矫顽场分别为7.6μC/cm2和45.7 V。在外加电压为40 V时,薄膜的漏电流密度约为5.37×10-6 A/cm2。漏电机制研究表明,Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al电容器满足欧姆导电机制。铁电电容器经过109极化反转后没有发现明显的疲劳现象。     

硅基集成电路中Cu互连阻挡层的研究

随着集成电路向超大规模的发展,Cu互连技术已成为硅工艺领域的热点话题,其关键技术之一--扩散阻挡层的研究越来越受到人们的关注.结合课题组阻挡层的研究工作,介绍了当前Cu互连技术中难熔金属及其氮(碳、硅、氧)化物、多层膜、三元化合物等各类扩散阻挡层材料的研究发展现状,论述了阻挡层的厚度问题、阻挡层研究过程中的分析表征方法以及当前Cu互连的理论研究现状,归纳并分析了阻挡层的失效机制.     

聚碳酸酯动态黏弹性能与分子取向态的关系

将双酚A型聚碳酸酯（PC）注射成型,基于流动残余应力与分子取向关系的讨论,利用光学双折射法表征样品中的平均分子取向,并考察其动态力学性能。结果表明,近浇口取向大于远浇口,且分子取向态与其动态黏弹性参数间存在关联。当选取损耗角正切值（tanδ）=1的损耗模量值时,发现更高的积分双折射值对应更小的损耗模量,即取向越大动态黏度越小;当储能模量选取玻璃态平台末端值时,尽管双折射值与储能模量的关系受自由体积因素干扰相对不明朗,但材料依然表现出弹性随取向增加而增加的整体趋势。