不同添加剂对AgSnO2In2O3触头材料电性能的影响

采用内氧化法工艺制备了不含添加剂及分别含添加剂CuO或TeO2的3种AgSnO2In2O3触头材料。应用模拟继电器试验设备检测了这3种材料在AC230 V、25 A阻性负载条件下的电寿命、熔焊力、电弧能量、燃弧时间、质量侵蚀率等相关电性能参数,并对检测结果及试验后铆钉触头样品进行了分析。研究发现:与不含添加剂的AgSnO2In2O3材料相比,添加剂CuO对材料的电寿命影响不大,而添加剂TeO2明显提高了材料的电寿命;含添加剂的两种材料的熔焊力和电弧能量均有了不同程度的降低,但它们的质量侵蚀率却明显增加。     

智能电表用磁保持继电器失效原因及机理分析

磁保持继电器是智能电表的核心部件之一,应具有高的可靠性、安全性及抗短路电流能力。本文针对智能电表用磁保持继电器的常见失效原因进行了分析。结果表明,触头表面污染引起磁保持继电器熔焊失效;复合铆钉触头开裂导致磁保持继电器熔焊失效或断开失效;在进行短路载流能力试验时,不合理的磁保持继电器结构引发爆炸;中间位置导致磁保持继电器出现断开失效。     

氦离子注入掺铈铌酸锶钡晶体平面光波导和它的光折变性质

室温下用2.8MeV氦离子注入在掺铈铌酸锶钡晶体上形成了平面光波导。用棱镜耦合法观察到了波导的暗模。计算的折射率分布表明在离子注入产生的损伤层中晶体的折射率减小，其中正常折射率减小约3．42％，反常折射率减小为2．55％。由PIPR方法拟合的波导中的折射率分布与TRIM’96给出的注入离子的密度分布基本一致。两波耦合实验表明离子注入可以延长折射率光栅的擦除时间。     

医学院校分析化学教学方法初探

分析化学是医学院校的一门重要的专业基础课程,本文初步探究了分析化学教学方法,例如列表比较法和讨论式教学法;讨论了绪论教学和实验课教学中需要注意的问题。分享了分析化学教学中应该注意的其它事项。     

双特征空间的实体排序学习

随着大规模知识图谱的出现以及企业高效管理领域知识图谱的需求,知识图谱中的自组织实体检索成为研究热点。给定知识图谱以及用户查询,实体检索的目标在于从给定的知识图谱中返回实体的排序列表。从匹配的角度来看,传统的实体检索模型大都将用户查询和实体统一映射到词的特征空间。这样做具有明显的缺点,例如,将同属于一个实体的两个词视为独立的。为此,该文提出将用户查询和实体同时映射到实体与词两个特征空间方法,称为双特征空间的排序学习。首先将实体抽象成若干个域。之后从词空间和实体空间两个维度分别抽取排序特征,最终应用于排序学习算法中。实验结果表明,在标准数据集上,双特征空间的实体排序学习模型性能显著优于当前先进的实体检索模型。     

Al_xGa_(0.51-x)In_(0.49)P光学性质的研究

用MOCVD方法在GaAs衬底上生长了AlGaInP的本征及掺Si或掺Mg三个样品。用椭偏光谱法测量了样品在室温下可见光区的光学常数 ,并求其介电函数的三级微商谱。用三点比例内插法分析介电函数的三级微商谱 ,精确地得到样品的带隙Eg、Eg+Δ0 以及Eg 以上成对结构跃迁的能量位置 ,并对其结果加以分析。同时与沟道分析等方法相结合对材料的性能进行了鉴定。     

Er^＋注入Yb掺杂的ZnO波导膜的光学及结构特性研究

利用射频磁控溅射技术在蓝宝石衬底上沉积ZnO：Yb光波导薄膜,然后用离子注入技术将能量为200keV的Er^＋离子注入薄膜中,剂量为1×10^15ions／cm2。应用棱镜耦合技术、卢瑟福背散射（RBS）技术、X射线衍射（XRD）技术和荧光光谱等技术研究了薄膜的波导性质、基本结构、厚度、组分、Er^＋的射程情况及光学频率上转换性质。实验发现掺杂Yb和Er的薄膜可以形成光波导结构,但波导质量较纯ZnO波导膜差,膜的有效折射率及沉积速率随Yb掺杂量增加有减小趋势;薄膜呈ZnO高度c-轴取向生长,Yb和Er能有效掺杂进ZnO晶格,ZnO晶格常数受Yb掺杂量的不同而变化;在980nm激光激发下没有发现在300-720nm间的光学频率上转换。     

在蓝宝石、MgO衬底上ZnO波导膜的制备

以ZnO烧结陶瓷为靶材,应用射频磁控溅射技术在（001）蓝宝石、（100）MgO衬底上制备ZnO波导薄膜。利用棱镜耦合、X射线衍射、RBS背散射分析等技术研究了所沉积薄膜的光波导及内部结构信息。结果表明：在两种衬底上所沉积的ZnO薄膜可以形成优良的平面光波导结构;薄膜结晶状况为存在少量其他晶向的C轴择优取向;薄膜含有的Zn及O组分原子数比例为近化学计量比;薄膜的沉积速率受衬底材料表面能作用轻微影响;薄膜的有效折射率较ZnO体材料小且受衬底材料影响。生长在蓝宝石衬底上ZnO薄膜的平均晶粒尺寸较在MgO衬底上的小,且其随膜厚的增加无明显变化,但在MgO衬底上晶粒尺寸则随膜厚的增加有增大趋势。     

AlxGa0.51-xIn0.49P光学性质的研究

用MOCVD方法在GaAs衬底上生长了AlGaInP的本征及掺Si或掺Mg三个样品.用椭偏光谱法测量了样品在室温下可见光区的光学常数,并求其介电函数的三级微商谱.用三点比例内插法分析介电函数的三级微商谱,精确地得到样品的带隙Eg、Eg+Δ0以及 Eg以上成对结构跃迁的能量位置,并对其结果加以分析.同时与沟道分析等方法相结合对材料的性能进行了鉴定.