钇离子注入对Co—40Cr（wt%）合金氧化行为的影响

研究了Co－40Cr（wt％）合金在空气中、1000℃下的恒温氧化和循环氧化行为。通过SEM／EDXA等测试手段,对合金表面形成的氧化膜进行了分析．并且,与合金表面离子注入3×1016Y ／cm2和3×1017Y ／cm2后的氧化行为进行了比较．结果表明,注钇和未注钇样品氧化后表面形成的都是纯Cr2O3膜,离子注钇明显改善了合金的氧化性能．其原因主要是稀土钇能以离子或细小氧化物颗粒的形式偏聚于Cr2O3晶界,通过阻碍氧化膜中Cr3＋阳离子向外扩散,降低了氧化膜的生长速率．同时,通过阻碍氧化膜／合金界面附近"kirkendall"空洞的形成,增强了氧化膜与合金基体之间的结合强度,提高了氧化膜的粘附性及合金的抗氧化性能．     

离子束混合制备非晶Sm-Fe-Zr合金薄膜

采用离子束混合技术制备非晶Sm—Fe－Zr合金薄膜，在Sin的含量为x＝400，300，200m／g的Sm—Fe多层薄膜中，注入能量为60KeV，剂量为1×1017ion／cm2的Zr＋，研究非晶形成条件及合金薄膜的磁性能．实验发现：三种成分配比的样品在Zr＋注入后磁性能皆发生明显的变化．X＝400mg／g样品没有形成非晶，其主相为SmFe5；x＝300，200mg／g样品形成非晶，且x＝200mg／g样品晶化后形成一个面心结构未知相和α—Fe相     

离子束合成TiSi2薄膜及显微结构的研究

本文主要以电子显微镜为手段研究了离子注入形成的ＴｉＳｉ２薄膜的微观结构，发现了一种新的ＴｉＳｉ２相，初步确定它为简单正交结构，点阵常数与已知的Ｃ４９－ＴｉＳｉ２相等，并发现新的ＴｉＳｉ２可向Ｃ４９－ＴｉＳｉ２转化；在８００℃条件下保温３０分钟，Ｃ５４－ＴｉＳｉ２可在Ｓｉ（１１１）基片上外延生长，取向关系为：「１２１」ＴｉＳｉ２「１１０」ｓｉ，（１１１）ＴｉＳｉ２（１１１）ｓｉ。     

钇离子注入改善Co—40Cr合金表面氧化膜粘附性的作用

用声发射（AcousticEmission）方法及扫描电镜SEM／EDXA,对Co－40Cr合金在1000℃空气中20h恒温氧化后表面氧化膜的开裂和剥落进行了研究．并与该合金表面离子注入3×1016Y ／cm2和3×1017Y ／cm2后的氧化结果进行了比较．结果表明,离子注钇后极大地改善了合金表面氧化膜的抗开裂和抗剥落性能．此外,用声发射方法能够间接地测量出氧化膜／合金界面处“预存缺陷”（pre-existingdefects）的分布情况．离子注钇改善合金表面氧化膜的粘附性与注钇后减小了界面处“预存缺陷”的数目及平均大小有关．