退火对Ni/3C-SiC欧姆接触的影响

采用溅射法在液相外延 3 C-Si C上制备 Ni电极 ,并利用圆形传输线法研究了退火温度对欧姆接触特性的影响 ,实验表明对于 Ni/n-Si C金半接触 ,经过 80 0～ 1 0 0 0°C高温退火 5分钟后 ,肖特基整流特性退化为欧姆接触 ,表现出良好的欧姆接触特性 ,且随退火温度的提高 ,接触电阻进一步下降 ,1 0 0 0°C退火后 ,可获得最低的接触电阻为 5 .0× 1 0 - 5Ω· cm2。     

地方院校半导体物理实验教学的改革实践

半导体物理实验是专门为半导体物理所开设的实验课程,在培养高质量半导体人才的过程中起着关键作用。本文分析了目前半导体物理实验开设现状,针对地方院校特点,结合我校多年实践经验,从实验教师队伍、实验设备、实验教学内容、实验教学方法、实验考核方式、实验安全等方面对半导体物理实验进行了一系列改革。实践结果表明,在地方院校师资、经费受限的情况下,实验教学效果良好。结果可供其他开设半导体物理实验的地方院校参考。     

PVT法生长大直径SiC晶体粉源的热特性及对生长的影响

研究了SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响.分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同,并结合实验研究了生长腔内等温线的不同形状和生长晶体表面形貌之间的关系.数值计算和实验结果均表明,生长腔内等温线的形状直接决定着生长晶体的表面形貌;粉源内较大的空隙率有利于粉的有效升华和晶体的稳定生长.     

1200 V 4H-SiC JBS二极管的研制

通过理论分析与计算机仿真方法对1 200 V 4H-碳化硅(SiC)结势垒肖特基(JBS)二极管进行了设计与研究,实现了1 200 V/2 A,1 200 V/5 A及1 200 V/30 A三种等级管芯的研制。鉴于非均匀场限环(FLR)保护效率存在对工艺偏差敏感的问题,所设计各电流等级的管芯均采用均匀FLR作为终端结构。经测试,所研制管芯在反偏压为1 200 V时,漏电流均不大于3μA,且1 200 V/2 A,1 200 V/5 A及1 200 V/30 A三种等级管芯的通态电阻分别为790mΩ,360 mΩ及59.3 mΩ。     

PVT法生长大直径SiC晶体粉源的热特性及对生长的影响

研究了SiC粉料的空隙率对晶体生长的影响.分析比较了当粉料取不同空隙率时粉料中以及生长腔内温度分布的异同,并结合实验研究了生长腔内等温线的不同形状和生长晶体表面形貌之间的关系.数值计算和实验结果均表明,生长腔内等温线的形状直接决定着生长晶体的表面形貌;粉源内较大的空隙率有利于粉的有效升华和晶体的稳定生长.