支持QoS的无线传感器网络容错拓扑控制算法

针对附加QoS需求的无线传感器网络,给出一种满足生命期和干扰服务要求的无线传感器网络无标度容错拓扑控制算法（scale-free fault-tolerance topology supporting quality of service,简称QoS-SFT）.通过分析无标度拓扑的度分布属性与其生命期和干扰性能的关联关系,量化出生命期和干扰联合优化的无标度拓扑度分布表达式,进而以无标度拓扑的度分布表达式为设计目标,采用偏好依附规则实现QoS-SFT算法设计,形成能够满足生命期和干扰联合优化要求的容错拓扑.理论分析和仿真结果表明,QoS-SFT算法不仅能够保证无标度拓扑的强容错性,还有效提升了无标度拓扑的生命期和干扰性能.     

CMOS MEMS技术的现状及展望

简要介绍了MEMS的发展状况及CMOS工艺在MEMS中的地位。主要介绍了pre-CMOS，intermediate-CMOS和post-CMOS三种不同的CMOS MEMS工艺。详细讨论了CMOS MEMS今后将面临的挑战及其未来应用领域，最后，根据国内情况对我国CMOS MEMS的发展提出了建议。     

3株魏斯氏菌的分离鉴定与生物学特性研究

本文对泡菜发酵初期魏斯氏菌进行分离鉴定并探究其安全特性和益生特性。结果表明：共筛选出三株魏斯氏菌,鉴定并命名为融合魏斯氏菌C13、食窦魏斯氏菌G232和W212;三株菌代谢产物无毒性,对14类21种抗生素表现出不同程度耐药,耐药基因检测C13携带四环素类耐药基因tetM,G232和W212携带磺胺类耐药基因sulII;三株菌能耐受pH 1-3和3.0%以下的胆盐,在人工肠液中3 h后存活率超过76.80%;三株菌的黏附能力好,疏水性在60.47%-62.69%之间,自凝聚率在43.76%-52.55%之间,共凝聚率在43.20%-61.58%之间;对胆固醇及甘油三酯的降解主要在前15 h,在24 h的总降解率在31.64-51.15%之间;表现出一定的抗氧化能力,对1,1一二苯基-2-三硝基苦肼自由基清除较高(清除率25.69-58.12%),对超氧阴离子自由基清除率相对较低(10.08%-27.73%);三株菌对志贺氏菌、大肠杆菌等致病菌抑菌活性好(抑菌圈直径18.22-42.18 mm)。本研究结果表明筛选的三株魏斯氏菌有较好的安全性和一定的益生特性,为将来魏斯氏菌在实际生产的应用提供基础数据。     

无标度网络的级联失效缓解策略

级联失效现象是一种节点失效的动态效应,会瞬间波及全网,造成全局网络瘫痪,成为无标度网络的规模化应用瓶颈.针对无标度网络的级联失效问题,提出一种可抵御任意单个节点失效引发的级联失效的缓解策略.在无标度网络中,节点容量是恒定的,根据这一特点建立级联失效模型,推导出网络发生大规模级联失效的承载极限,进而针对按节点度降序攻击的节点失效行为,提出相应的级联失效缓解策略.仿真实验结果表明,只对网络中小部分节点度大的超载节点采取一次缓解策略,可以显著改进无标度网络对此类攻击的级联失效抵御能力,同时通过数值模拟发现,网络总节点数和节点容量与网络的级联失效抵御能力正相关.     

多孔硅层孔隙率对其热绝缘性能的影响

研究了多孔硅层孔隙率对其热绝缘性能的影响机制.以P 型硅片为基底,通过双槽电化学腐蚀法制备多孔硅.采用微拉曼光谱法对多孔硅的热导系数进行了测量,结果表明,多孔硅的热导系数随其孔隙率的增大而明显下降,实验中热导系数最低可达到0.624W/(m·K),从而通过降低热导系数使多孔硅的绝热性能得到了增强.     

MEMS中多孔硅绝热技术

主要介绍了多孔硅的制备方法(化学法、电化学法及原电池法等)、多孔硅导热系数测试的几种常用手段(温度传感器法、显微拉曼散射法及光声法等)、导热系数的理论模型及影响因素．此外,采用不同方法制备了多孔硅样品,分析了其表面形貌并用显微拉曼光谱法测定了导热系数．结果发现,化学法制备的多孔硅孔径尺寸大于微米量级,而利用大孔硅电化学和原电池法得到的样品孔径尺寸小(约20nm),属于介孔硅．由于腐蚀条件的不同,多孔硅的孔隙率和厚度也不同,多孔硅的导热系数随孔隙率和厚度的增大而迅速减小．     

含Nb高碳钢的组织及耐磨性能

采用金相显微镜、扫描电镜表征了含Nb高碳钢的显微组织,并采用MFT-3000型摩擦磨损试验机,在室温下研究了摩擦载荷、滑动速度及滑动时间对铸态高碳钢的摩擦性能的影响。结果表明,铸钢组织由莱氏体和珠光体组成,洛氏硬度为37.3HRC。随施加载荷、滑动速度的增加,磨损失重量增加;摩擦系数随载荷增加而降低,随滑动速度增加而增加,随滑动时间的延长先增加后趋于稳定。磨损机制是以粘着磨损为主的粘着与磨粒磨损的混合磨损,高速、长时间滑动时,还存在明显的氧化磨损。     

基于重要度贡献的无标度网络节点评估方法

针对无标度网络的节点重要度评估问题,通过分析节点的邻居数量与其邻居间的拓扑结构,得到节点的结构洞重要性指标,再融合相邻节点的K核重要性指标值来确定相邻节点间的重要度贡献,以此表征相邻节点的局部信息;在此基础上,再结合表征节点位置信息的节点自身的K核重要性,从而提出一种基于节点间重要度贡献关系来评估无标度网络的节点重要度的方法.该方法综合考虑了节点的结构洞特征和K核中心性特征来确定节点的重要度,同时兼顾到了网络的局部和全局重要性.理论分析表明,此方法的时间复杂度仅为o（n²）.与其他几种算法仿真对比的结果表明,该方法可行有效,拥有理想计算能力,适用无标度网络.     

应用于MEMS的多孔硅的制备方法研究

采用化学腐蚀法、单槽电化学腐蚀法和双槽电化学腐蚀法来进行多孔硅的制备,通过对比这三种方法所制备多孔硅的表面形貌特征,发现双槽电化学腐蚀法与其它两种方法相比,具有孔径尺寸小(可达5~10 nm)、均匀性好、腐蚀深度大(可达几百nm)等优点,其制备的多孔硅更符合在MEMS中应用的要求。最后对双槽电化学腐蚀法中腐蚀时间及电流密度对腐蚀速率的影响进行了研究。     

应用于微电子机械系统中多孔硅的研究

针对多孔硅在MEMS中作为牺牲层和绝热层的应用,主要研究了电化学腐蚀法制备多孔硅的实验条件与多孔硅深度及其孔隙率间的关系,实验发现电化学腐蚀法制备多孔硅的腐蚀速率在腐蚀前期阶段基本是一定值(电流密度为80mA/cm2时为1.3μm/min,电流密度为40 mA/cm2时为0.4μm/min),但到腐蚀后期阶段随着孔深的增加有所下降.同时发现对于不同的腐蚀电流密度,多孔硅的孔隙率都有随腐蚀时间的延长先增加后降低的趋势,用Beale模型可以很好的解释这一现象.最后,针对多孔硅在制备后易发生龟裂的现象,用拉曼光谱分析了多孔硅的内部应力情况,结果表明随多孔硅孔隙率的上升其内部残余应力有增加的趋势.