几种新型的光电器件

描述用ＳＯＩ技术制造的光耦合ＭＯＳ继电器和多量子阱长波和红外探测器，以及集成异质结晶体管和激光二管于一体的高增益，高灵敏的光电子开关器件，文中着重介绍这些器件的结构，制造工和器件特性，并对其进行了讨论。     

MLS结构的电容-电压特性

本文报导在 Si 衬底上拉制聚酰胺 LB 膜的电容-电压特性,结果表明:它具有与其它绝缘膜相似的特性,为聚酰胺 LB 膜应用于场效应器件奠定了基础。     

平面型硅高压晶体管的研制

提高平面型晶体管击穿电压的方法主要有场极板、电场限制环、耗尽区腐蚀和离子注入等.几年来,我们在如何实现平面结构晶体管的高耐压性能方面做了些工作,认为,不管是NPN型还是PNP型晶体管有效易行的方法均是场极板加等位环的组合结构.对两种结构分别做了加场极板和不加场极板的对比试验,结果表明,场极板结构对提高器件的击穿电压是非常有效的,而分压环结构则不易控制,效果也不明显.本文将以目前彩色电视机使用较多、难度较大的硅PNP高压功率品体管(2 SA940)为例,讨论带场极板和等位环组合结构晶体管的设计和制造,并通过计算机模拟比较理论和试制结果.     

半导体激光器的制造新技术

半导体激光器是激光器中的一种,它的制造技术有分子束外延、液相外延、金属有机物化学气相淀积、低压金属有机物化学气相淀积和化学束外延等.结果表明,器件特性与制备方法有关.例如:利用金属有机气相外延生长的GaAs/GaAlAs异质结,可以制造高精致的大功率激光器,其波长为780～880nm.用具有特殊波导特性的质量阱(QW)结构能满足大功率需要.各种参量包括这些层的结构和配合以及多层结构的光、电特性,通过该方法大面积生长外延层而达到最佳化.本文重点介绍上述技术的生长机理、实验系统简图、典型工艺以及在器件制造上的应用.     

电化学腐蚀自停止制备SiO2上的Si膜的机理研究

本文将介绍制备厚度可控的SOI/SDB材料的新方法,重点讨论电化学腐蚀Pn结自停止效应的机理。     

Ⅱ—Ⅵ族半导体薄膜的特性

重点介绍Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体薄膜的特性，特别是ＣｄＳ和ＣｄＳｅ。利用密封空间汽化传输技术制作的ＣｄＳ薄膜具有低的电阻（３００Ｋ时，σ为０．８８～１．３４Ω＾－１·ｃｍ＾－１）、高的载流子迁移率。Ｘ射线衍射仪分析表明：在（００２）面择优生长，薄膜特性与制膜工艺有明显的关系，淀积后的退火和就地腐蚀能增大晶粒尺寸，减少晶粒边界。同时介绍了ＣｄＳｅ太阳电池的特性。     

LB单分子膜中电荷密度的确定

本文介绍了一种新的测定单层LB膜中电荷密度的C-V方法,解决了常规C-V方法的不精确问题。通过对硬脂酸C20H40O2膜中电荷密度的测定,表明此方法实用可行。     

LB 膜击穿特性的研究

LB膜是新一代的超薄有机膜,利用LB技术可以制成半导体、绝缘体等各种超薄有机膜。通过对硬酯酸LB绝缘膜的击穿特性粗浅的讨论,可以看出LB绝缘膜确是一种绝缘强度高、缺陷密度低的优质薄膜。